【摘要】一種采用干法刻蝕技術(shù)實現(xiàn)RTD與HEMT單片集成的方法，包括如：在襯底上依次生長典型的HEMT材料結(jié)構(gòu)和RTD材料結(jié)構(gòu)；光刻出RTD發(fā)射區(qū)的圖形制備AuGeNi金屬層，形成RTD金屬發(fā)射極；光刻，形成有源區(qū)；光刻出HEMT的源漏電極
【專利類型】外觀設(shè)計 【申請人】陳佳妮 【申請人類型】個人 【申請人地址】100029北京市朝陽區(qū)安苑北里9號樓2101號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】朝陽區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200630120559.4 【申請日】2006-09-15 【申請年份】2006 【公開公告號】CN300708205D 【公開公告日】2007-11-14 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN300708205D 【授權(quán)公告日】2007-11-14 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】陳佳妮 【主權(quán)項內(nèi)容】無 【當前權(quán)利人】陳佳妮 【當前專利權(quán)人地址】北京市朝陽區(qū)安苑北里9號樓2101號
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://m.mhvdw.cn/1776033304.html
喜歡就贊一下
