【摘要】本實(shí)用新型提供了一種鋁電解系列不停電開槽熔斷器，將主壓接塊與次壓接塊焊接成為一體，左右主壓接塊通過長(zhǎng)弓形夾具分別與立柱母線及短路母線連接，啞鈴形狀的熔斷塊通過兩套短弓形夾具分別與左右壓接塊連接。使用本實(shí)用新型的熔斷器后，使鋁電解生產(chǎn)
【摘要】 一種采用干法刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)RTD與HEMT單片集成的方法，包括如：在襯底上依次生長(zhǎng)典型的HEMT材料結(jié)構(gòu)和RTD材料結(jié)構(gòu)；光刻出RTD發(fā)射區(qū)的圖形制備AuGeNi金屬層，形成RTD金屬發(fā)射極；光刻，形成有源區(qū)；光刻出HEMT的源漏電極；高溫退火；光刻出HEMT柵槽圖形刻蝕掉部分重?fù)诫s帽層；在器件表面淀積生長(zhǎng)一層鈍化介質(zhì)層；光刻出HEMT的柵電極圖形生成TiPtAu金屬作為HEMT器件的柵電極；光刻出引線孔；光刻出引線互連區(qū)域，蒸發(fā)或?yàn)R射厚TiAlTiAu金屬電極，去膠剝離。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【申請(qǐng)人類型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】100083北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610076521.0 【申請(qǐng)日】2006-04-28 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN101064275A 【公開公告日】2007-10-31 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100495682C 【授權(quán)公告日】2009-06-03 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號(hào)】H01L21/82; H01L21/822; H01L21/84; H01L21/70 【發(fā)明人】馬龍; 楊富華; 王良臣; 黃應(yīng)龍 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種采用干法刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)RTD與HEMT單片集成的 方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟1：在襯底上采用分子束外延或金屬有機(jī)化學(xué)氣相電 極的方法依次生長(zhǎng)典型的HEMT材料結(jié)構(gòu)和RTD材料結(jié)構(gòu)； 步驟2：光刻出RTD發(fā)射區(qū)的圖形，采用蒸發(fā)或?yàn)R射的方 法制備AuGeNi金屬層，去膠剝離，形成RTD金屬發(fā)射極； 步驟3：采用非選擇ICP干法刻蝕技術(shù)，以RTD金屬發(fā)射 極作為掩蔽，刻蝕RTD結(jié)構(gòu)到重?fù)诫s的InGaAs收集區(qū)接觸層； 步驟4：采用高選擇性的濕法腐蝕液去除殘余的InGaAs 層，露出中間的選擇性腐蝕停止層； 步驟5：去除選擇性腐蝕停止層； 步驟6：光刻，形成有源區(qū)，采用ICP干法刻蝕技術(shù)刻蝕 有源區(qū)外部分至半絕緣InP襯底，去膠； 步驟7：光刻出HEMT的源漏電極，蒸發(fā)或?yàn)R射AuGeNi 金屬制備HEMT源電極、漏電極； 步驟8：在保護(hù)氣體氣氛下實(shí)行快速高溫退火； 步驟9：光刻出HEMT柵槽圖形，采用選擇性ICP干法刻 蝕技術(shù)刻蝕掉部分重?fù)诫s帽層，刻蝕停止于InAlAs勢(shì)壘上， 去膠； 步驟10：在器件表面淀積生長(zhǎng)一層鈍化介質(zhì)層； 步驟11：光刻出HEMT的柵電極圖形，挖去部分的鈍化 介質(zhì)層，采用蒸發(fā)或?yàn)R射的方法生成TiPtAu金屬作為HEMT 器件的柵電極； 步驟12：光刻出引線孔，挖去金屬電極上面的鈍化介質(zhì) 層，去膠； 步驟13：光刻出引線互連區(qū)域，蒸發(fā)或?yàn)R射厚TiAlTiAu 金屬電極，去膠剝離。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數(shù)】21 【被自引次數(shù)】5.0 【被他引次數(shù)】16.0 【家族引證次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】21
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