【摘要】一種利用鋁土礦尾礦制備聚硅酸鋁鐵水處理劑的方法，涉及一種鋁土礦尾礦處理及聚硅酸鋁鐵水處理劑的制備方法，其特征在于是采用鋁土礦尾礦為原料，經高溫焙燒、酸浸、堿溶、聚合聚硅酸工藝過程，將酸溶過程中得到的鋁鹽溶液加入到聚硅酸中，制備聚硅酸
【摘要】 本發明涉及一種減小準分子激光刻蝕橫向影響區的裝置，屬于準分子激光微加工領域。主要包括有激光器(1)、掩模(4)、投影物鏡(6)、試樣(7)，其中，激光器1發出的主光束經過第一反射鏡(2)、第二反射鏡(3)到達掩模(4)，將掩模(4)的圖案經過第三反射鏡(5)反射到投影物鏡(6)，投影物鏡(6)縮小后的圖案成像到試樣(7)的表面，進行刻蝕，其特征在于：試樣(7)設置在水槽(8)的底部，水槽(8)內注有液體，試樣(7)的刻蝕表面低于液面。采用本發明進行在液體下加工，提高了準分子激光刻蝕微結構表面形貌的質量，獲得高質量的微細加工結構，實施方法簡單，使準分子激光微加工工藝進一步完善。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京工業大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100022北京市朝陽區平樂園100號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200610169837.4 【申請日】2006-12-29 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1994653A 【公開公告日】2007-07-11 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】B23K26/12; B23K26/18; B23K26/36; B23K26/122; B23K26/362 【發明人】姚李英; 劉瑩; 陳濤; 左鐵釧; 劉世炳 【主權項內容】1、一種減小準分子激光直寫刻蝕橫向影響區的方法，其特征在于，該方法是 按以下步驟進行的： 1)將試樣(7)固定到水槽(8)的底部，然后向水槽(8)中注入液體， 液面高于試樣(7)的上表面； 2)將水槽(8)固定到準分子激光直寫刻蝕微加工系統中的三維工作臺 (9)上； 3)將準分子激光直寫刻蝕微加工系統中掩模(4)轉換至“十”型，然 后調整激光的像點位置，使之位于試樣(7)的表面； 4)將準分子激光直寫刻蝕微加工系統中掩模(4)轉換至加工所需形狀 后，打開激光器(1)，進行刻蝕。 【當前權利人】北京工業大學 【當前專利權人地址】北京市朝陽區平樂園100號 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12110000400687411U 【被引證次數】4 【被他引次數】4.0 【家族被引證次數】4
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