【摘要】本實用新型涉及一種電磁消毒器，其包括內部結 構和外部結構，所述外部結構主要由筒體構成，所述內部結構 主要由藥劑容器和電磁加熱器構成，所述內部結構設置在所述 外部結構內，同所述外部結構之間留有構成氣流通道的間隙， 所述藥劑容器設置在所
【摘要】 本發明涉及一種單根納米線或陣列式納米線的生長制備方法，其為將模板法和微加工技術結合起來，先制備母板，然后通過電化學氧化法，在鋁或鋁合金表面形成具有各種孔徑及孔深的氧化鋁母板；然后利用微加工技術將所需位置的障壁層刻透，形成所需形狀、大小、位置的納米通道；最后按照常規的薄膜制備方法，向納米通道內填充或沉積各種材料，得到單根納米線或納米線點陣。該方法可以制得直徑1～1000nm，長度0.1nm～100μm的納米線。本發明的優異之處在于可精確控制單根納米線或納米線點陣數量、大小、形狀、空間分布，從而實現納米線和納米點用于實際納米器件和高密度垂直磁記錄介質時性能的可控調制。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市海淀區中關村南三街8號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610072720.4 【申請日】2006-04-07 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101049905A 【公開公告日】2007-10-10 【公開公告年份】2007 【發明人】張謝群; 瑞哈娜; 姜麗仙; 莎麥拉; 韓宇男; 韓秀峰 【主權項內容】1、一種單根納米線或陣列式納米線的生長制備方法，其為將模板法和微加工技術 結合起來，形成所需形狀、大小、位置的納米通道，然后在納米通道內生長單根納米 線或陣列式納米線點陣。 【當前權利人】中國科學院物理研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區中關村南三街8號 【統一社會信用代碼】12100000400012174C 【被引證次數】11 【被他引次數】11.0 【家族被引證次數】11
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