【摘要】本發明涉及太陽電池,為解決晶體硅太陽電池的結構問題,本發明公開了多孔硅層結構的晶體硅太陽電池,其結構順序包括N型硅層、P型硅層、背面電極、在N型硅層和P型硅層交界處形成具有光伏效應的PN結,其特點是在靠近受光面一側的硅材料表面上設有
【專利類型】外觀設計 【申請人】上海頻高電腦配件有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】201105上海市華翔路227號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】閔行區 【申請號】CN200630037528.2 【申請日】2006-06-09 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3641504D 【公開公告日】2007-05-09 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3641504D 【授權公告日】2007-05-09 【授權公告年份】2007.0 【發明人】黃紹華 【主權項內容】無 【當前權利人】上海頻高電腦配件有限公司 【當前專利權人地址】上海市華翔路227號 【專利權人類型】外商投資企業
未經允許不得轉載:http://m.mhvdw.cn/1775541769.html
喜歡就贊一下






