【專利類型】外觀設計【申請人】上海嘉陵車業(yè)有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】201708上海市青浦華新鎮(zhèn)華昌工業(yè)園區(qū)【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】青浦區(qū)【申請?zhí)枴緾N200630035776.3【申請日】2006
【摘要】 本發(fā)明涉及太陽電池，為解決晶體硅太陽電池的結構問題，本發(fā)明公開了多孔硅層結構的晶體硅太陽電池，其結構順序包括N型硅層、P型硅層、背面電極、在N型硅層和P型硅層交界處形成具有光伏效應的PN結，其特點是在靠近受光面一側的硅材料表面上設有一層納米多孔硅層，該納米多孔硅層表面上有透明導電膜結構。本發(fā)明對現(xiàn)有的結構作了改進，增加了一層納米多孔硅層，從而提高了太陽電池光電轉換效率。由于納米多孔硅層的準孔徑和準孔壁的尺寸在2納米到300納米之間，且納米多孔硅層厚度較薄，用較薄的晶體硅層可以達到與較厚晶體硅層相同的光量子的產(chǎn)額。節(jié)省了貴重的半導體硅材料，使成本降低。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】上海太陽能科技有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】201108上海市莘莊工業(yè)區(qū)申南路555號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610025565.0 【申請日】2006-04-10 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101055899A 【公開公告日】2007-10-17 【公開公告年份】2007 【發(fā)明人】李濤勇; 劉瓊; 張鈴菊 【主權項內容】1.多孔硅層結構的晶體硅太陽電池，其結構順序包括N型硅層、 P型硅層、背面電極、在N型硅層和P型硅層交界處形成具有光伏效 應的PN結，其中N型硅層和P型硅層的順序可以相互交換排列，其 特征在于在靠近受光面一側的硅材料表面上設有一層納米多孔硅層， 該納米多孔硅層表面上有透明導電膜結構。 【當前權利人】上海太陽能科技有限公司 【當前專利權人地址】上海市莘莊工業(yè)區(qū)申南路555號 【專利權人類型】其他有限責任公司 【統(tǒng)一社會信用代碼】9131011263168762XU 【被引證次數(shù)】6 【被他引次數(shù)】6.0 【家族被引證次數(shù)】6
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