【摘要】本實用新型公開了一種散熱裝置的固定機構，其設于該散熱裝置的兩側，以將該散熱裝置夾裝在一電子裝置的機殼上，該固定機構包括：翼片，其設于該散熱裝置的兩側，于該翼片上設有一穿孔；底座，其相對應該翼片而設于該機殼上，于該底座上設有一鎖孔，且
【摘要】 本發明提供一種半導體晶片的處理方法及晶邊 殘余物去除系統。該晶邊殘余物去除系統與濕浸式光刻工藝一 起使用，包括：多轉速馬達，用以旋轉晶片吸盤，該馬達可使 該吸盤保持在第一轉速大于1500rpm，第二轉速約介于 1500rpm和1000rpm之間，以及第三轉速小于1000rpm；以及 第一噴嘴，配置于該吸盤上，靠近該吸盤上的晶片邊緣，該第 一噴嘴用以噴灑溶劑。本發明的所述的半導體晶片的處理方法 及晶邊殘余物去除系統避免了因光致刻蝕劑殘留物與浸入曝 光液和透鏡接觸而污染曝光液和透鏡，也避免了光致刻蝕劑在 曝光過程中被污染，并且減少了晶片上形成的缺陷。。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610095874.5 【申請日】2006-06-30 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1892445A 【公開公告日】2007-01-10 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN1892445B 【授權公告日】2012-04-18 【授權公告年份】2012.0 【IPC分類號】G03F7/42; H01L21/00 【發明人】張慶裕; 柯建州; 游大慶 【主權項內容】1.一種半導體晶片的處理方法，包括： 在半導體晶片上形成光敏感層，以進行濕浸式光刻工藝； 進行晶邊殘余物去除程序，其中包括以大于1500rpm的第一轉速旋轉該 半導體晶片時，在第一距離處噴灑第一液體到該半導體晶片的正面邊緣； 旋干該半導體晶片； 在旋干該半導體晶片的步驟之后，烘烤該半導體晶片； 在烘烤該半導體晶片的步驟之后，曝光該光敏感層； 曝光后烘烤該光敏感層；以及 在曝光后烘烤該光敏感層的步驟之后，顯影該光敏感層。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市 【被引證次數】13 【被他引次數】13.0 【家族引證次數】29.0 【家族被引證次數】29
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