【摘要】一個溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)單元，它具有由一源區域圍繞著的溝槽柵極，而該 源區域則處于安置在襯底底面的漏極之上的一個基體區域之 內。該MOSFET單元還具有一個源－基體接觸溝槽，它開得 使其側壁實際上垂直于
【摘要】 本實用新型是一種組合式母插座內架的改進結 構，其主要包括：一內架主體及一組母插座端子；該內架主體 包括一本體、一側蓋及一外殼，其中該本體的外緣設有至少二 第一鍵槽，而該外殼包括至少二分別獨立的瓣體，且每一瓣體 對應該本體徑向的第一鍵槽位置分別向內延伸出一第一凸壁 及一第二凸壁；由該瓣體的第一凸壁與第二凸壁分卡掣在該主 體的第一鍵槽中，以使該外殼與本體形成結合，而主體的每一 鍵槽可分別容納瓣體的第一凸壁與另一瓣體的第二凸壁，使整 體組裝上兼具活動組合以及卡掣密合的功效，進而增加后制程 射出成形后成品的質量。 -官網 【專利類型】實用新型 【申請人】建通精密工業股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200620001356.8 【申請日】2006-01-25 【申請年份】2006 【公開公告號】CN2891351Y 【公開公告日】2007-04-18 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN2891351Y 【授權公告日】2007-04-18 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】H01R13/20; H01R13/42; H01R13/02 【發明人】蘇敦禮 【主權項內容】1.一種組合式母插座內架的改進結構，其主要包括：一內架主體及一組母 插座端子；其中該內架主體至少包括一本體及一外殼，該本體的外緣設有對 應該組母插座端子數量及大小的嵌置槽，以供該組母插座端子插置；而該外 殼是包覆在該本體的外緣，其特征在于； 該本體的外緣設有至少二第一鍵槽，而該外殼包括至少二各自分別獨立 的瓣體，且每一瓣體對應該本體徑向的第一鍵槽位置分別向內延伸出一第一 凸壁及一第二凸壁；由瓣體的第一凸壁與另一瓣體的第二凸壁分別卡掣在該 主體的第一鍵槽中，以使該外殼與本體形成結合。 【當前權利人】建通精密工業股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣 【引證次數】1.0 【他引次數】1.0 【家族引證次數】1.0
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