【摘要】本發明公開了一種高光取出率的固態發光元件，包括：一圖案化藍寶石單晶基材、一疊置于該圖案化藍寶石單晶基材并為六方晶系的緩沖層，及一疊置于該緩沖層的固態發光件。該圖案化藍寶石單晶基材具有多數個凹槽定義面以定義出多數個凹槽。每一凹槽定義面
【摘要】 一種位于半導體襯底上的非易失性存儲器設備， 包括位于襯底上的底氧化層，位于底氧化層上的氮化硅中間 層，及位于中間層上的頂氧化層。底氧化層的氫濃度最高達 5E19cm－3及界面陷阱密度最高 達5E11cm－2eV －1。三層結構可以是存儲器元件的電荷陷獲結 構，且存儲器元件還包括在該結構上形成柵極，及在襯底內形 成源極及漏極區。。-官網 【專利類型】發明申請 【申請人】旺宏電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610129061.3 【申請日】2006-09-06 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1941407A 【公開公告日】2007-04-04 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100563025C 【授權公告日】2009-11-25 【授權公告年份】2009.0 【發明人】施彥豪; 呂函庭; 賴二琨; 謝光宇 【主權項內容】1、一種非易失性存儲器元件，包括： 半導體襯底上的氧化硅底氧化層，該底氧化層具有最高達 5E19cm-3的氫濃度及最高達5E11cm-2eV-1的界面陷獲電荷密度； 氮化硅中間層，位于該底氧化層上；及 頂氧化層。 ： 【當前權利人】旺宏電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【被引證次數】2 【家族被引證次數】95
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