【摘要】本發明公開了一種發光二極管封裝結構，包括一底座、一本體及數個發光二極管。本體設置于底座上，并具有一側面，此側面具有一邊緣環繞凹槽。這些發光二極管芯片設置于此邊緣環繞凹槽的槽底上，用以提供發光二極管封裝結構的側向光線。本發明還公開了一
【摘要】 一種非揮發性記憶體的制造方法，首先于基底上依序形成介電層、第一導體層及罩幕層。圖案化罩幕層、第一導體層及介電層，以形成浮置閘極與多個開口。然后，于開口的側壁上形成間隙壁。于各開口下方的基底中形成源極/汲極區。進行熱氧化制程氧化各開口所暴露的基底，以于源極/汲極區上方形成一層絕緣層。之后，移除罩幕層，并形成一閘間介電層覆蓋于第一導體層的表面及絕緣層的表面。接著，于閘間介電層上形成一層第二導體層。 【專利類型】發明申請 【申請人】旺宏電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610080431.9 【申請日】2006-05-15 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101075561A 【公開公告日】2007-11-21 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100472738C 【授權公告日】2009-03-25 【授權公告年份】2009.0 【發明人】林新富; 吳俊沛 【主權項內容】1.一種非揮發性記憶體的制造方法，其特征在于其包括以下步驟： 于一基底上依序形成一第一介電層、一第一導體層及一罩幕層； 移除部分該罩幕層、部分該第一導體層及部分該第一介電層，以形成 多個開口； 于該些開口的側壁上形成間隙壁； 于各開口下方的該基底中形成一源極/汲極區； 進行一熱氧化制程氧化各開口所暴露的該基底，以于該源極/汲極區上 方形成一絕緣層； 移除該罩幕層； 形成一閘間介電層覆蓋于該第一導體層的表面及該絕緣層的表面；以 及 于該閘間介電層上形成一第二導體層。 【當前權利人】旺宏電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹
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