【摘要】本發明提出一種負責開機程序的控制芯片，內部燒錄有第一開機程序和第二開機程序。在正常狀況開機時，是以第一開機程序進行開機；而在非正常狀況時，譬如第一開機程序需要更新或是因先前的更新失敗而損毀時，是以第二開機程序進行開機，以便更新第一開
【摘要】 本發明公開了一種改善有機發光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結構及方法，該結構及方法主要是在源極/漏極金屬層上的接觸井填入金屬，或在多晶硅島上相應于源極/漏極金屬層位置的接觸井填入金屬，以有效降低像素電極與薄膜晶體管間的接觸電阻，改善色彩顯示的質量。。 【專利類型】發明申請 【申請人】財團法人工業技術研究院 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】中國臺灣新竹縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610067443.8 【申請日】2006-03-27 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101047198A 【公開公告日】2007-10-03 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100585869C 【授權公告日】2010-01-27 【授權公告年份】2010.0 【IPC分類號】H01L27/32; H01L21/82 【發明人】劉育榮; 黃怡碩; 葉永輝 【主權項內容】1、一種改善有機發光二極管整合彩色濾光片接觸電阻的結構，其特征在 于，包括： 一基板； 一多晶硅島，形成于該基板之上； 一氧化層，形成于該基板之上且覆蓋該多晶硅島； 一柵極金屬層，相應于該多晶硅島的中間位置形成于該氧化層上； 一介電層，形成于該氧化層之上且覆蓋該柵極金屬層，該介電層開設有數 個接觸井，該些接觸井貫穿該介電層與該氧化層； 一源極/漏極金屬層，形成于該介電層之上，且經該些接觸孔與該多晶硅 島的相應位置連接； 一彩色濾光片，形成于該源極/漏極金屬層之上； 一平坦層，形成于該彩色濾光片之上； 一金屬層，填入穿過該平坦層與該彩色濾光片的接觸井而與該源極/漏極 金屬層相連接；及 一像素電極層，形成于該金屬層與該平坦層之上。 【當前權利人】財團法人工業技術研究院 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹縣 【引證次數】1.0 【被引證次數】6 【自引次數】1.0 【被他引次數】6.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】7
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