【摘要】本發明是一種具有輻射結構和隔離效果的高電壓和低導通電阻晶體管，根據本發明的一高電壓LDMOS晶體管在N型阱的擴展的漏極區域中包括至少一P型場區塊。P型場區塊群在所述N型阱中形成接面場區，用以使漏極區域與源極區域之間的寄生電容器的電容
【摘要】 本發明提供一逆變器重置方法，包含下列步驟：(a)檢測一逆變器的一負載的負載狀態；(b)產生一負載狀態信號以分辨該負載是否正常工作；以及(c)當該負載狀態信號顯示該負載工作異常時，重置該逆變器。。 【專利類型】發明申請 【申請人】奇美電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣臺南縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610087867.0 【申請日】2006-05-26 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101079581A 【公開公告日】2007-11-28 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN101079581B 【授權公告日】2010-05-12 【授權公告年份】2010.0 【IPC分類號】H02M7/48 【發明人】林文聰; 陳世明 【主權項內容】1.一種具有重置功能的逆變器，包含： 一電源轉換電路，包含多個功率開關，其中該多個功率開關至少組成兩 組交替導通路徑，轉換一直流電源為一交流電源，該交流電源提供一負載電 力； 一控制電路，提供一控制信號控制所述功率開關模塊的導通以及關閉； 以及 一重置電路，電連接該控制電路，提供一負載狀態信號判斷該逆變器工 作狀態，當該逆變器工作異常時，該重置電路重置該逆變器。 【當前權利人】奇美電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣臺南縣 【被引證次數】2 【被他引次數】2.0 【家族引證次數】2.0 【家族被引證次數】2
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