【摘要】本發明提供一種獨石流體噴射裝置及其制造方法，該獨石流體噴射裝置包括：襯底，具有第一表面，且上述襯底中具有流體通道；保護層，形成于上述襯底的上述第一表面上；電鍍起始層，形成于上述保護層上方；金屬結構層，形成于上述電鍍起始層上，此金屬結
【摘要】 一種系統安裝架構，包括第一系統和第二系統。第一系統包括第一程序存儲器、第一通訊裝置以及第一狀態裝置。第二系統包括第二通訊裝置，第二程序存儲器、第二狀態裝置以及處理器。第一程序存儲器用以儲存一啟動數據，第一狀態裝置用以初始第一通訊裝置。第二狀態裝置用以初始第二通訊裝置，當第二通訊裝置耦接于第一通訊裝置時，通過第一通訊裝置取得第一程序存儲器的啟動數據，并儲存于第二程序存儲器，而處理器根據啟動數據初始第二系統。 【專利類型】發明申請 【申請人】揚智科技股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省臺北市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610074996.6 【申請日】2006-04-25 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101063942A 【公開公告日】2007-10-31 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100498709C 【授權公告日】2009-06-10 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】G06F9/445 【發明人】雷懷宏; 周旭輝; 王正榮; 黃學偉 【主權項內容】1.一種系統安裝架構，包括： 一第一系統，包括： 一第一程序存儲器，用以儲存一啟動數據； 一第一通訊裝置；以及 一第一狀態裝置，用以初始上述第一通訊裝置；以及 一第二系統，包括： 一第二通訊裝置； 一第二程序存儲器； 一第二狀態裝置，用以初始上述第二通訊裝置，當上述第二通訊裝 置耦接于上述第一通訊裝置時，通過上述第一通訊裝置取得上述啟動數據， 并儲存于上述第二程序存儲器；以及 一第一處理器，用以根據上述啟動數據初始上述第二系統。 【當前權利人】揚智科技股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省臺北市 【被引證次數】1 【被他引次數】1.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】1
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