【專利類型】外觀設計【申請人】臺達電子工業股份有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】中國臺灣桃園縣【申請人地區】中國【申請人城市】臺灣省【申請號】CN200630129961.9【申請日】2006-05-24【申請年份】2006【公開公告
【摘要】 本發明公開一種存儲器件，其包括：第一電極，該第一電極具有頂側；第二電極，該第二電極具有頂側；以及位于第一與第二電極之間的絕緣構件。絕緣構件在第一與第二電極之間、接近第一電極的頂側處與第二電極的頂側處具有一厚度，并從第一與第二電極的頂側向外延伸，限定具有頂側的絕緣材料側壁。存儲材料導橋橫跨側壁頂側的絕緣構件，并在第一與第二電極間、橫跨絕緣構件處限定一電極間路徑。本發明還提供了這種存儲單元的陣列。此導橋在側壁的頂側上包括存儲材料活性層，其具有至少二固態相，以及于存儲材料之上的一層熱絕緣材料，其導熱性低于第一與第二電極的導熱性。 【專利類型】發明申請 【申請人】旺宏電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610165918.7 【申請日】2006-12-11 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101013716A 【公開公告日】2007-08-08 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100544016C 【授權公告日】2009-09-23 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L27/24; H01L45/00; H01L21/82 【發明人】龍翔瀾 【主權項內容】1.一種存儲元件，包括： 襯底； 位于該襯底上的電極層，該電極層包括電極對陣列，該電極對包 括具有一上表面的第一電極、具有一上表面的第二電極、以及位于該 第一電極與該第二電極之間并從該第一與第二電極的該上表面向外 延伸的絕緣構件，而限定絕緣材料側壁，其具有頂側；以及 陣列的導橋橫跨相對應電極對的該絕緣構件之上，該導橋具有第 一面與第二面、并以該第一面與相對應電極對中的該第一與第二電極 的該上表面接觸，其中該導橋分別包括存儲材料活性層在該側壁的該 頂側，該存儲材料具有至少二固態相。 【當前權利人】旺宏電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【引證次數】5.0 【被引證次數】3 【他引次數】5.0 【被自引次數】1.0 【被他引次數】2.0 【家族引證次數】5.0 【家族被引證次數】3
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