【摘要】一種金屬氧化物半導體場效應晶體管的制造方法。首先提供一基底，基底上已形成有柵極結構，之后，移除部分基底，以于柵極結構兩側的基底中形成第一凹陷。接著，于第一凹陷中沉積源極與漏極延伸層，并于柵極結構兩側形成間隙壁。然后，移除部分源極與漏
【摘要】 本實用新型關于一種可連接電腦主機電源的連接器接頭，具有一中空殼體，其一端設一插槽，一eSATA端子組，設于插槽內部上側位置，本實用新型的特色在于：一接電源端子組，其包括有復數支接電源端子，設于插槽內部下側位置，于本實用新型中的連接器接頭，其中除了具有數eSATA端子與電腦的連接器插座連接，于連接器接頭內部下側也設有數支接電源端子與電腦的連接器插座的USB端子連接，因而，連接有連接器接頭的外接式產品即可使用電腦的電源，即使使用場所不在室內，無電源設備時也可使用。 【專利類型】實用新型 【申請人】泰崴電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省臺北縣中和市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200620114874.0 【申請日】2006-06-02 【申請年份】2006 【公開公告號】CN2922162Y 【公開公告日】2007-07-11 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN2922162Y 【授權公告日】2007-07-11 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】H01R12/16; G06F1/16 【發明人】江瑞讀 【主權項內容】1.一種可連接電腦主機電源的連接器接頭，具有一中空殼體的一端 設一插槽；一eSATA端子組，設于插槽內部上側位置；其特征在于： 接電源端子組，其包括有復數支接電源端子，設置于插槽內部下側位 置。 ： 【當前權利人】泰崴電子股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省臺北縣中和市 【被引證次數】12 【被他引次數】12.0 【家族被引證次數】12
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