【摘要】本實用新型公開了一種閥體，主要在本體的活塞孔內(nèi)裝設(shè)彈簧及活塞，兩側(cè)組裝側(cè)蓋，頂面組裝上蓋，及底面組裝底蓋而構(gòu)成。其中本體是以鋁擠型成型后依據(jù)流量大小而裁切需要厚度，再進行加工內(nèi)孔；因此，對于不同口徑的閥體，不需要依據(jù)不同尺寸本體而另
【摘要】 一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的制造方法。首先提供一基底，基底上已形成有柵極結(jié)構(gòu)，之后，移除部分基底，以于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底中形成第一凹陷。接著，于第一凹陷中沉積源極與漏極延伸層，并于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成間隙壁。然后，移除部分源極與漏極延伸層及部分基底，以于間隙壁以外的源極與漏極延伸層及部分基底中形成第二凹陷。然后，于第二凹陷中沉積源極與漏極層。因為源極與漏極延伸層及源極與漏極層具有特定的材料與結(jié)構(gòu)，所以能夠改善短溝道效應(yīng)，并使此金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管具有優(yōu)異的效能。 ： 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】聯(lián)華電子股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610081826.0 【申請日】2006-05-12 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101071774A 【公開公告日】2007-11-14 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN101071774B 【授權(quán)公告日】2010-12-08 【授權(quán)公告年份】2010.0 【發(fā)明人】蔡振華; 藍邦強; 林育信; 劉毅成; 蔡成宗 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的制造方法，包括： 提供基底，該基底上已形成柵極結(jié)構(gòu)； 移除該柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的部分該基底，以形成第一凹陷； 于該第一凹陷中沉積源極與漏極延伸層； 于該柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成間隙壁； 移除該間隙壁以外的該源極與漏極延伸層及部分該基底，以形成第二 凹陷；以及 于該第二凹陷中沉積源極與漏極層。。 【當(dāng)前權(quán)利人】聯(lián)華電子股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū) 【被引證次數(shù)】14 【被他引次數(shù)】14.0 【家族被引證次數(shù)】14
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