【摘要】本發(fā)明提供一半導(dǎo)體元件以及該半導(dǎo)體元件的 制造方法與制造裝置，特別是有關(guān)于在金屬層的稀疏布局區(qū)域 插入虛置圖案的方法以及裝置。虛置圖案被用來解決因半導(dǎo)體 的有效圖案密度不平均而導(dǎo)致的研磨后薄膜厚度不平坦問題。 本發(fā)明另說明一演算法，
【專利類型】外觀設(shè)計(jì) 【申請人】李宗諺 【申請人類型】個(gè)人 【申請人地址】中國臺(tái)灣 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺(tái)灣省 【申請?zhí)枴緾N200630135064.9 【申請日】2006-09-04 【申請年份】2006 【公開公告號(hào)】CN3668691D 【公開公告日】2007-07-11 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN3668691D 【授權(quán)公告日】2007-07-11 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】李宗諺 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】無 【當(dāng)前權(quán)利人】李宗諺 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺(tái)灣
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