【摘要】本發明提供一半導體元件以及該半導體元件的 制造方法與制造裝置，特別是有關于在金屬層的稀疏布局區域 插入虛置圖案的方法以及裝置。虛置圖案被用來解決因半導體 的有效圖案密度不平均而導致的研磨后薄膜厚度不平坦問題。 本發明另說明一演算法，
【摘要】 一種耐高溫快速開關大流量噴氣隔膜閥，其包含有一本體、一上蓋及一隔膜組件；在本體上形成有一上開口、一主氣室、一進氣管及一自主氣室下方突伸的出氣管；上蓋是設置在本體的上開口上；隔膜組件是設置在上蓋與本體上開口間，在隔膜組件中心處設置有一突伸入主氣室的連桿，其內有呈一L形貫穿該側壁與上端的導氣孔，底端設一相對出氣管上開口的閉氣蓋，該閉氣蓋底部形成有一弧面；當連桿向上移動時，進氣管與出氣管可直接導通，又因出氣管是自主氣室底部向下延伸而非突伸入內部，主氣室空間因此增大，如此可提高氣體流速及增加工作效率。。 【專利類型】發明申請 【申請人】吳定國 【申請人類型】個人 【申請人地址】臺灣省臺北縣新莊市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610080709.2 【申請日】2006-05-11 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101070917A 【公開公告日】2007-11-14 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100507328C 【授權公告日】2009-07-01 【授權公告年份】2009.0 【發明人】吳定國 【主權項內容】1、一種耐高溫快速開關大流量噴氣隔膜閥，其特征在于，其包含有： 一本體，在本體上形成有一主氣室及一上開口，在本體上形成有一緊鄰氣 室一側的進氣管，該進氣管內形成有一與氣室連通的主進氣口，在本體上形成 有一自主氣室底部向下突伸的出氣管，該出氣管的上開口為圓形，又出氣管內 形成有一與主氣室連通的主出氣口； 一上蓋，是設置在本體的上開口上；及 一隔膜組件，是為彈性材料，設置在上蓋與本體上開口之間，將本體內隔 成一平衡氣室及一主氣室，在隔膜組件中心處設置有一突伸入主氣室的連桿， 連桿內部有一呈L形貫穿側壁與上端的導氣孔，使平衡氣室與主氣室相連通， 底端設置有一相對出氣管上開口的閉氣蓋，該閉氣蓋底部形成有一閉氣面；當 連桿向下移動時，閉氣蓋可完全密封出氣管的圓形上開口；及 一彈簧，是設置在隔膜與上蓋之間，下壓隔膜中心部位及連桿，令閉氣蓋 密封出氣管的上開口。 【當前權利人】桓達科技股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新北市土城工業區自強街16號 【被引證次數】4 【被他引次數】4.0 【家族被引證次數】4
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