【摘要】本發(fā)明提供一種可達(dá)成FPD薄型化的實用技術(shù)，是于一對玻璃基板(1)的一邊形成電極(11)，經(jīng)由密封材(12)黏合玻璃基板(1)來密封內(nèi)部之后，進(jìn)行將玻璃基板(1)外面作切削來打薄厚度的外面削減工序。在外面削減工序中，從噴嘴(4)向著
【摘要】 本發(fā)明揭示一種分離柵極式存儲單元及其形成方法。一浮置柵極設(shè)置在一襯底上并與其絕緣。襯底具有一有源區(qū)，它由一對形成在襯底內(nèi)的隔離結(jié)構(gòu)所分隔而成。浮置柵極設(shè)置在該對柵極結(jié)構(gòu)之間且不與其上表面重疊。一上蓋層設(shè)置在浮置柵極上。一控制柵極設(shè)置在浮置柵極的側(cè)壁且與其絕緣并局部延伸至上蓋層的上表面。一源極區(qū)形成在襯底內(nèi)并靠近浮置柵極的一側(cè)。本發(fā)明的分離柵極式存儲單元及其制造方法，具有較高的源極耦合率，同時又能縮小有源區(qū)的間距，可提高存儲單元的編程和擦除效率，進(jìn)一步提高集成電路性能。。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610129199.3 【申請日】2006-09-12 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101034721A 【公開公告日】2007-09-12 【公開公告年份】2007 【發(fā)明人】黃成銘; 宋弘政; 朱文定; 謝章仁; 高雅媜 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種分離柵極式存儲單元，包括： 一襯底，具有一有源區(qū)，其由一對形成于該襯底內(nèi)的隔離結(jié)構(gòu)所分隔而 成； 一浮置柵極，設(shè)置于該襯底的有源區(qū)上并與其絕緣，且位于該對隔離結(jié) 構(gòu)之間而并未與其上表面重疊； 一上蓋層，設(shè)置于該浮置柵極上； 一控制柵極，設(shè)置于該浮置柵極的側(cè)壁且與其絕緣并局部延伸至該上蓋 層的上表面；以及 一源極區(qū)，形成于該襯底內(nèi)并靠近該浮置柵極的一側(cè)。 【當(dāng)前權(quán)利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺灣新竹市 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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