【摘要】一種走線彈片結(jié)構(gòu)，其安裝在主機(jī)板上，以固定線材，該走線彈片由板體一體彎折成走線部及吸附部，走線部的底板固定在主機(jī)板上，且走線部呈環(huán)狀恰能整個(gè)包覆住線材，使線材無(wú)法任意移動(dòng)。在走線部一端形成有開口，使線材從開口處套入于走線部?jī)?nèi)，而吸附
【摘要】 在實(shí)施用于生長(zhǎng)的活性P型III－V族氮化物層的 方法時(shí)，將引入基板并設(shè)置于反應(yīng)室中，并將其加熱。接著， 將氮?dú)廨d氣以及反應(yīng)化合物送入反應(yīng)室中，反應(yīng)化合物包括源 自第III族元素的化合物、源于氮的化合物、以及P型雜質(zhì)。 借此產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，以形成生長(zhǎng)的活性P型III－V族氮化物層。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】泰谷光電科技股份有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】中國(guó)臺(tái)灣 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610108207.6 【申請(qǐng)日】2006-08-01 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1921158A 【公開公告日】2007-02-28 【公開公告年份】2007 【發(fā)明人】李家銘; 陳宗良 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】 1.一種用于形成活性p型III-V族氮化物層的方法，其包括： 在反應(yīng)室中引入氮?dú)?N2)載氣，該反應(yīng)室中設(shè)置有處于反應(yīng)溫度 下的基板；以及 在反應(yīng)室中引入至少一種源于第III族元素的化合物、一種源于 氮的化合物以及一種P型雜質(zhì)，進(jìn)而引發(fā)化學(xué)反應(yīng)，形成活性P型 III-V族氮化物層。 【當(dāng)前權(quán)利人】泰谷光電科技股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國(guó)臺(tái)灣 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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