【摘要】本發(fā)明提供一種低介電常數(shù)的介電薄膜的形成方法，包括形成一多孔低介電常數(shù)的介電薄膜于半導(dǎo)體基底上的方法。導(dǎo)入活性鍵結(jié)于多孔低介電常數(shù)的介電薄膜之中，以改善低介電常數(shù)的介電薄膜的損失電阻及化學(xué)完整性，進而在經(jīng)過后續(xù)的制程后，保持低介電常
【摘要】 以化學(xué)氣相沉積法來制造單壁碳管，其所使用的觸媒基本上由催化碳管生長的過渡金屬、防止觸媒顆粒聚集的前驅(qū)金屬的金屬氧化物以及貴重金屬所組成。貴重金屬的金屬氧化物在還原時，會產(chǎn)生類似爆炸的效應(yīng)來分散觸媒顆粒。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】錸德科技股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】臺灣省新竹縣湖口鄉(xiāng)新竹工業(yè)區(qū)光復(fù)北路42號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610091362.1 【申請日】2006-06-15 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101088915A 【公開公告日】2007-12-19 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】C01B31/02; C23C16/26; C01B31/00 【發(fā)明人】王威翔; 郭正次; 洪蔡豪 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種單壁碳管的制造方法，該單壁碳管的制造方法包括： 使用一觸媒為單壁碳管的生成反應(yīng)的催化劑，該觸媒基本上由下述成分所 組成： 催化碳管生長的一過渡金屬； 防止觸媒顆粒聚集的一前驅(qū)金屬的金屬氧化物；以及 一貴重金屬，該貴重金屬的氧化物在還原時，會產(chǎn)生類似爆炸的效應(yīng) 來分散該觸媒顆粒；以及 通入一碳源氣體，以化學(xué)氣相沉積法形成單壁碳管。 【當(dāng)前權(quán)利人】錸德科技股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】臺灣省新竹縣湖口鄉(xiāng)新竹工業(yè)區(qū)光復(fù)北路42號
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