【摘要】本發明涉及一種一次性注射器安全護蓋，其包括：一套接部，套接部上開設有供注射器套入的套孔，套接部頂面以一軸桿連接一兩側較寬的擋塊，且擋塊前端延設有至少一個勾設部；一保護蓋，保護蓋上開設有一滑槽，滑槽內緣一側或兩側在接近后端的位置設有一
【摘要】 本發明提供一種半導體元件及其形成方法，可減 少柵極間隔物下的凹陷。上述的半導體元件包括一柵極結構于 基板上、一側壁間隔物于柵極結構的側壁、一小于30埃的凹 陷區域于側壁間隔物下、以及至少部分位于基板中且鄰接凹陷 區域的硅合金區域。硅合金區域的厚度實質上大于30納米。 在移除柵極結構上的硬掩模時保護基板，可減少凹陷區域的深 度。上述的半導體元件較佳為p型金屬氧化物半導體元件。上 述半導體形成方法可減少金屬氧化物半導體元件的接面深度， 可改善短溝道效應并增加元件驅動電流。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610094197.5 【申請日】2006-06-27 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1913175A 【公開公告日】2007-02-14 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L29/78; H01L27/092; H01L21/336; H01L21/8238 【發明人】王志豪; 王大維 【主權項內容】1.一種半導體元件，包括： 一基板； 一柵極結構，位于該基板上； 一側壁間隔物，位于該柵極結構的側壁； 一凹陷區域，位于該基板中且深度實質上小于30，其中至少有部分該 凹陷區域位于該側壁間隔物下； 一硅合金區域，至少有部分該硅合金區域位于該基板中且鄰接該凹陷區 域，其中該硅合金區域的晶格常數實質上大于該基板的晶格常數，且該硅合 金的厚度實質上大于30nm。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市 【被引證次數】10 【被他引次數】10.0 【家族引證次數】6.0 【家族被引證次數】11
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