【摘要】本發明公開一種用于背光模塊的反射罩及其制造方法，該背光模塊具有光源及導光板，該導光板具有入光面及與該入光面實質上垂直的出光面，該光源所發射的第一部分光線可經由該導光板的入光面接收后經該導光板的內部朝該導光板的出光面將光線射出。該反射
【摘要】 一種具有栓固式光二極管CMOS影像感測組件 的制作方法，包含提供第一導電型半導體基材，其具有一摻雜 阱；于摻雜阱上形成柵極；進行自我對準離子注入工藝，于半 導體基材的光感應區內形成第二導電型二極管摻雜區；進行斜 角度離子注入工藝，于半導體基材內形成第二導電型口袋摻雜 區；于柵極側壁上形成側壁子；在二極管摻雜區內形成第一導 電型表面栓固摻雜層，表面栓固摻雜層、二極管摻雜區、口袋 摻雜區與半導體基材構成一栓固光二極管組態。 【專利類型】發明申請 【申請人】原相科技股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610108978.5 【申請日】2006-07-31 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1953158A 【公開公告日】2007-04-25 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100421235C 【授權公告日】2008-09-24 【授權公告年份】2008.0 【發明人】陳經緯; 謝志成; 黃建章 【主權項內容】1.一種CMOS影像感測組件的制作方法，包含有： 提供一第一導電型的半導體基材，其上具有一摻雜阱； 于該摻雜阱上形成一柵極，其中該柵極為該CMOS影像感測組件的轉換 晶體管的柵極； 進行一自我對準離子注入工藝，于該半導體基材的一光感應區內形成 一第二導電型的二極管摻雜區； 進行一斜角度離子注入工藝，于該半導體基材內形成一第二導電型的 口袋摻雜區，其中該口袋摻雜區位于該柵極的正下方； 于該半導體基材內形成一第二導電型的浮置摻雜區，其中該浮置摻雜 區形成在該柵極的一側，且與該口袋摻雜區相隔一段距離； 于該柵極的側壁上形成一側壁子；以及 在該二極管摻雜區內形成一第一導電型的表面栓固摻雜層，其中該表 面栓固摻雜層、該二極管摻雜區、該口袋摻雜區與該半導體基材共同構成一 被栓固的光二極管組態，且該表面栓固摻雜層可于該側壁子形成之前或之后 始形成。 【當前權利人】原相科技股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省新竹科學工業園區 【被引證次數】7 【被自引次數】1.0 【家族被引證次數】32
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