【摘要】本發(fā)明提供一種多個(gè)主總線轉(zhuǎn)換器的控制方法 及控制系統(tǒng)，用以讓所述主總線轉(zhuǎn)換器所連接的多個(gè)磁盤機(jī)架 構(gòu)一磁盤陣列架構(gòu)。本發(fā)明包含傳送一詢問信號(hào)至主總線轉(zhuǎn)換 器；接著主總線轉(zhuǎn)換器依據(jù)所包含的通道數(shù)量傳送一詢問結(jié) 果；若該主總線轉(zhuǎn)換器為一
【摘要】 本發(fā)明提供了一種硬掩模層的制造方法，包括：于基底上形成一層掩模層；于掩模層上形成一層圖案化光致抗蝕劑層；圖案化光致抗蝕劑層具有多個(gè)開口，且這些開口暴露部分掩模層；之后，移除部分掩模層，以暴露開口底部的部分基底；進(jìn)行第一氧等離子體處理工藝，以增加掩模層的抗蝕刻性；之后，進(jìn)行第二氧等離子體處理工藝，以移除殘留的圖案化光致抗蝕劑層。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】力晶半導(dǎo)體股份有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】中國(guó)臺(tái)灣新竹市 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610074881.7 【申請(qǐng)日】2006-04-25 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN101064245A 【公開公告日】2007-10-31 【公開公告年份】2007 【IPC分類號(hào)】H01L21/033; H01L21/308; H01L21/3213; G03F7/42; H01L21/02 【發(fā)明人】陳志銘; 陳英村; 黃德浩; 邱達(dá)燕; 劉慶冀 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種硬掩模層的制造方法，包括： 于基底上形成掩模層； 于該掩模層上形成圖案化光致抗蝕劑層，該圖案化光致抗蝕劑層具有多 個(gè)開口，該些開口暴露部分該掩模層； 移除部分該掩模層，以暴露該些開口下方的部分該基底； 進(jìn)行第一氧等離子體處理工藝，以移除部分該圖案化光致抗蝕劑層，并 增加該掩模層的抗蝕刻性；以及 進(jìn)行第二氧等離子體處理工藝，以移除殘留的該圖案化光致抗蝕劑層。 【當(dāng)前權(quán)利人】力晶半導(dǎo)體股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國(guó)臺(tái)灣新竹市 【被引證次數(shù)】5 【被他引次數(shù)】5.0 【家族被引證次數(shù)】5
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://m.mhvdw.cn/1776667568.html
喜歡就贊一下
