【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】美洛帝實業(yè)股份有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】中國臺灣高雄市三民區(qū)九如二路255之5號9樓【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】臺灣省【申請?zhí)枴緾N200630313695.5【申請日】2006-12-22【
【摘要】 一種具有電荷儲存結(jié)構(gòu)的柵控二極管非易失性存儲器單元，包含具有額外柵極端的二極管結(jié)構(gòu)。實例的實施例包含獨立的存儲器單元、此類存儲器單元的陣列、操作此存儲器單元或存儲器單元的陣列的方法及其制造方法。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】旺宏電子股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610164074.4 【申請日】2006-12-06 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101005078A 【公開公告日】2007-07-25 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100502016C 【授權(quán)公告日】2009-06-17 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L27/115; G11C16/02 【發(fā)明人】廖意瑛; 蔡文哲; 葉致鍇 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種操作非易失性存儲器器件集成電路的方法，所述非易失 性存儲器器件包含：電荷儲存結(jié)構(gòu)，一個或多個儲存介電結(jié)構(gòu)，其至 少一部分介于所述電荷儲存結(jié)構(gòu)與二極管結(jié)構(gòu)之間，且至少一部分介 于所述電荷儲存結(jié)構(gòu)與柵極電壓源之間，所述二極管結(jié)構(gòu)具有以結(jié)所 分隔的第一節(jié)點及第二節(jié)點，所述方法包含： 提供第一偏壓安排以決定所述電荷儲存結(jié)構(gòu)的電荷儲存狀態(tài)，其 中，所述二極管結(jié)構(gòu)的所述第一節(jié)點及所述第二節(jié)點至少一部分與所 述一個或多個儲存介電結(jié)構(gòu)相鄰，且所述二極管結(jié)構(gòu)具有所述第二節(jié) 點的相對端以絕緣介電層與鄰近器件分隔的剖面；以及 測量流經(jīng)反向偏壓時所述二極管結(jié)構(gòu)的電流，以決定所述電荷儲 存結(jié)構(gòu)的所述電荷儲存狀態(tài)。 【當前權(quán)利人】旺宏電子股份有限公司 【當前專利權(quán)人地址】中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū) 【引證次數(shù)】18.0 【被引證次數(shù)】4 【他引次數(shù)】18.0 【被自引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】2.0 【家族引證次數(shù)】49.0 【家族被引證次數(shù)】20
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