【專利類型】外觀設計【申請人】向明科技股份有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】臺灣省臺中市【申請人地區】中國【申請人城市】臺灣省【申請號】CN200630121021.5【申請日】2006-07-06【申請年份】2006【公開公告號】C
【摘要】 一種非揮發性存儲器，其至少是由基底、第一摻雜區、第二摻雜區、第三摻雜區、第一柵極結構、第二柵極結構、第一淺摻雜區與第二淺摻雜區所構成。第一摻雜區、第二摻雜區以及第三摻雜區是設置于基底中，且第二摻雜區是位于第一摻雜區與該第三摻雜區之間。第一柵極結構設置于第一摻雜區與第二摻雜區間的基底上，第二柵極結構則設置于第二摻雜區與第三摻雜區間的基底上。第一淺摻雜區是位于第一柵極結構下方鄰接第一摻雜區的基底中，第二淺摻雜區是位于第二柵極結構下方鄰接第三摻雜區的基底中。 【專利類型】發明申請 【申請人】力晶半導體股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610005873.7 【申請日】2006-01-19 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101005075A 【公開公告日】2007-07-25 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L27/112; H01L21/8246; H01L21/70 【發明人】劉志拯 【主權項內容】1、一種非揮發性存儲器，至少包括 第一導電類型基底； 第二導電類型第一摻雜區、第二導電類型第二摻雜區以及第二導電類型 第三摻雜區，設置于該第一導電類型基底中，其中該第二導電類型第二摻雜 區位于該第二導電類型第一摻雜區與該第二導電類型第三摻雜區之間； 第一柵極結構，設置于該第二導電類型第一摻雜區與該第二導電類型第 二摻雜區之間的該第一導電類型基底上， 第二柵極結構，設置于該第二導電類型第二摻雜區與該第二導電類型第 三摻雜區之間的該第一導電類型基底上； 第二導電類型第一淺摻雜區，位于該第一柵極結構下方鄰接該第二導電 類型第一摻雜區的該第一導電類型基底中；以及 第二導電類型第二淺摻雜區，位于該第二柵極結構下方鄰接該第二導電 類型第三摻雜區的該第一導電類型基底中。 【當前權利人】力晶半導體股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市 【引證次數】2.0 【被引證次數】3 【他引次數】2.0 【被他引次數】3.0 【家族引證次數】2.0 【家族被引證次數】3
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