【摘要】本實用新型是一種石材研磨機改良，該輸送裝置是立式略呈傾斜狀定位于機架，并具有一回旋作動的圈帶；該機架于該圈帶底緣空間處，橫向樞設復數個承載輪，該機架設有復數個壓輪，該壓輪得以相對壓靠于石材板表面，供該輸送裝置引動該石材板位移；該研磨
【摘要】 本發明是有關于一種制造應變硅半導體元件的 方法，藉以改善磊晶薄膜厚度的不受歡迎的變異。評估本發明 所提出的半導體元件的布局與元件配置，以決定相對較低或較 高元件密度的區域，來決定局部負載效應的缺陷是否可能發 生。若是如此，則產生適合所提出的半導體元件的虛擬圖案， 并入至光罩設計中，再與原先提出的元件配置一起設置在基材 上。本發明可以減少或消滅局部負載效應，卻不會干擾半導體 元件的操作。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610138269.1 【申請日】2006-11-10 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1971878A 【公開公告日】2007-05-30 【公開公告年份】2007 【發明人】陳永修; 章勛明 【主權項內容】1、一種用以制造一半導體元件的方法，其特征在于至少包含： 提供一半導體基材，該半導體元件具有一上表面； 形成一第一凹陷在該半導體基材的該上表面上； 形成至少一第二凹陷在該半導體基材的該上表面上； 成長一第一磊晶區在該第一凹陷中；以及 成長一第二磊晶區在該第二凹陷中； 其中該第二磊晶區是電性隔絕，藉以在制造過程中做為一虛擬(Dummy)結構。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 【被引證次數】TRUE 【家族被引證次數】TRUE
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