【摘要】本發明提供一種半導體元件及其形成方法，可減 少柵極間隔物下的凹陷。上述的半導體元件包括一柵極結構于 基板上、一側壁間隔物于柵極結構的側壁、一小于30埃的凹 陷區域于側壁間隔物下、以及至少部分位于基板中且鄰接凹陷 區域的硅合金區域。硅
【摘要】 1.請求保護的外觀設計包含色彩； 2.本產品除正面以外的其它各面無設計要點，省略其它視圖。 【專利類型】外觀設計 【申請人】張志利 【申請人類型】個人 【申請人地址】101113北京市通州工業開發區廣源西街1號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】通州區 【申請號】CN200630148106.2 【申請日】2006-10-31 【申請年份】2006 【公開公告號】CN300690272D 【公開公告日】2007-09-12 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN300690272D 【授權公告日】2007-09-12 【授權公告年份】2007.0 【發明人】張志利 【主權項內容】無 【當前權利人】張志利 【當前專利權人地址】北京市通州工業開發區廣源西街1號
未經允許不得轉載：http://m.mhvdw.cn/1776399112.html
喜歡就贊一下
