【專利類型】外觀設計 【申請人】田恩廣 【申請人類型】個人 【申請人地址】101103北京市通州區馬駒橋鎮西馬各莊409號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】通州區 【申請號】CN200630157859.X 【申請日】2006-05-31 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3634588D 【公開公告日】2007-04-18 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3634588D 【授權公告日】2007-04-18 【授權公告年份】2007.0 【發明人】田恩廣 【主權項內容】無 【當前權利人】田恩廣 【當前專利權人地址】北京市通州區馬駒橋鎮西馬各莊409號
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【摘要】本實用新型公開了一種打氣筒，其包括有：一筒體單元，包括有一筒身與一桿體，該筒身兩端之間形成一氣體壓縮路徑，該桿體一端設一握把，而該桿體異于握把一端則設一活塞，該桿體的活塞系可于氣體壓縮路徑內往復滑移；一流路單元，具有第一端與第二端，
【專利類型】外觀設計【申請人】春玖岱實業有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】臺灣省彰化縣員林鎮員鹿路26號3樓之12【申請人地區】中國【申請人城市】臺灣省【申請號】CN200630145982.X【申請日】2006-09-18【申請年份
【摘要】本實用新型是揭露一種樞紐器，其透過利用一包 含有凸點墊片與凹輪片所組成的限位片，來達到避免需使用樞 紐器開啟的上下蓋，在開啟時，因施力或者外力產生的過度開 啟或者是閉合時所產生的上下蓋撞擊等問題。【專利類型】實用新型【申請人】志精實
【摘要】一種具冷熱混合感應式龍頭手動出水控制結構，由結合有電眼的龍頭體內套結一接水混合座、切控裝置與一電磁閥裝置，接水混合座以兩接水孔結合冷熱水管，中段以冷熱調節栓貫穿兩接水孔，切控裝置一切控閥套入一閥套，閥套底面在手動接水孔周邊凹設形成一
【摘要】本發明提供一種半導體結構的形成方法及電阻，特別涉及一種去耦合淺摻雜源漏極區和袋狀注入區的形成方法。上述方法包括：提供一半導體晶片，其包含多個主動區。于上述主動區中形成多個柵極結構。利用一N－淺摻雜源漏極光罩，形成多個N－淺摻雜源漏極
【摘要】本發明是提供一種半導體裝置及其制作方法。其中半導體裝置具有一理想化應力于溝道區域之中，此半導體裝置包含一柵極位于一基底上方，一第一間隙壁形成于柵極側壁上，且在該第一間隙壁下方存在一非硅化區域，包含一凹槽的一源漏極區域形成于上述基底之
