【摘要】一種嵌合式微型鉆頭，包含有一鉆柄件及一鉆身件，該鉆柄件，用以被一鉆孔機(jī)械所夾持，該鉆柄件的一端緣軸向形成有一嵌合槽；該鉆身件，一端形成有一嵌合部，穿入于該嵌合槽內(nèi)而呈緊密的固定嵌接，另一端則形成有三切削面，以同一角度研磨而成，使該兩
【摘要】 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法及電阻，特別涉及一種去耦合淺摻雜源/漏極區(qū)和袋狀注入?yún)^(qū)的形成方法。上述方法包括：提供一半導(dǎo)體晶片，其包含多個主動區(qū)。于上述主動區(qū)中形成多個柵極結(jié)構(gòu)。利用一N－淺摻雜源/漏極光罩，形成多個N－淺摻雜源/漏極區(qū)于上述半導(dǎo)體晶片上。利用一N－袋狀注入光罩，形成多個N－袋狀注入?yún)^(qū)于上述半導(dǎo)體晶片上。利用一P－淺摻雜源/漏極光罩，形成多個P－淺摻雜源/漏極區(qū)于上述半導(dǎo)體晶片上；以及利用一P－袋狀注入光罩，形成多個P－袋狀注入?yún)^(qū)于上述半導(dǎo)體晶片上。本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法及電阻，可以降低模擬MOS元件之間的失配，并提升其本征增益。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610145740.X 【申請日】2006-11-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101068007A 【公開公告日】2007-11-07 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100539077C 【授權(quán)公告日】2009-09-09 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/8238; H01L27/092 【發(fā)明人】俞正明; 趙治平; 張智勝; 陳俊宏 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié) 構(gòu)的形成方法包括下列步驟： 提供一半導(dǎo)體晶片，其包含多個主動區(qū)； 于該主動區(qū)中形成多個柵極結(jié)構(gòu)； 利用一N-淺摻雜源/漏極光罩，形成多個N-淺摻雜源/漏極 區(qū)于該半導(dǎo)體晶片上； 利用一N-袋狀注入光罩，形成多個N-袋狀注入?yún)^(qū)于該半導(dǎo) 體晶片上，其中N-袋狀注入?yún)^(qū)為p型，以及其中該N-淺摻雜源/ 漏極光罩與該N-袋狀注入光罩為不同光罩； 利用一P-淺摻雜源/漏極光罩，形成多個P-淺摻雜源/漏極 區(qū)于該半導(dǎo)體晶片上；以及 利用一P-袋狀注入光罩，形成多個P-袋狀注入?yún)^(qū)于該半導(dǎo) 體晶片上，其中P-袋狀注入?yún)^(qū)為n型，以及其中該P(yáng)-淺摻雜源/ 漏極光罩與該P(yáng)-袋狀注入光罩為不同光罩。 ： 【當(dāng)前權(quán)利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號 【被引證次數(shù)】5 【被他引次數(shù)】5.0 【家族引證次數(shù)】13.0 【家族被引證次數(shù)】9
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