【摘要】本發明涉及一種新型化合物和包含該化合物的有機電致發光器件。該化合物的結構通式如下所示，其中R1～R8獨立選自氫原子、含C6－20的芳基或取代芳基、含C6－20的稠環芳基、含C4－20的雜環芳基或稠雜環芳基、含C1－30的烷基或取代烷
【摘要】 電磁－磁電式微機械諧振梁結構，由基體和磁場 中的諧振梁構成，以基體彈性膜片和雙端固支簡單諧振梁構成 復合敏感結構，實現輸入物理量的諧振式測量。基體和諧振梁 采用SOI晶圓，以外延和刻蝕工藝加工而成，基體為低摻雜， 諧振梁為N型1× 1019cm－ 3摻雜，二者形成單晶硅整體結構；諧振梁兩端 具有電極，并與磁場方向正交，通過電流時產生厚度方向的安 培力，振動時在兩端產生感應電壓；采用間歇式原理構成閉環 系統，徹底解決了耦合干擾問題。本發明可簡化結構和工藝， 并有利于改善敏感結構的機械性能和穩定性。。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京航空航天大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100083北京市海淀區學院路37號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610114274.9 【申請日】2006-11-03 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1944235A 【公開公告日】2007-04-11 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN1944235B 【授權公告日】2011-07-20 【授權公告年份】2011.0 【IPC分類號】B81B7/02; B81B3/00; B06B1/04; B81C1/00; G01L1/10 【發明人】樊尚春; 邢維巍; 蔡晨光 【主權項內容】1、電磁-磁電式微機械諧振梁結構，由基體(1)和磁場 中的諧 振梁(2)構成，基體(1)包括一個隨被測物理量變化而變形的彈性膜片(4)， 諧振梁(2)兩端固支于彈性膜片(4)表面，其固有頻率隨彈性膜片(4) 變形而變化，實現輸入物理量的諧振式測量；基體(1)和諧振梁(2)采用 SOI晶圓，以外延和刻蝕工藝加工而成；諧振梁(2)兩端具有電極，并與 磁場 方向正交，通過電流時產生厚度方向的安培力，振動時在兩端產 生感應電壓，采用間歇式工作方式構成閉環系統，以徹底解決耦合干擾問題。 【當前權利人】北京航空航天大學 【當前專利權人地址】北京市海淀區學院路37號 【統一社會信用代碼】12100000400011227Y 【被引證次數】15 【被自引次數】2.0 【被他引次數】13.0 【家族引證次數】5.0 【家族被引證次數】15
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