【摘要】本發(fā)明提供一種RF MEMS開關(guān)的互聯(lián)結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)方法，屬于射頻微機(jī)電開關(guān)(RF MEMS Switch)的技術(shù)領(lǐng)域。該方法利用一次多晶硅的生長，制備RF MEMS開關(guān)的驅(qū)動、互聯(lián)結(jié)構(gòu)和接觸部分，其中，驅(qū)動和接觸部分為摻雜的多晶硅，驅(qū)
【摘要】 本發(fā)明公開了一種聚苯乙烯光子晶體和利用聚苯乙烯光子晶體的光開關(guān)。該光子晶體以石英為基片，在石英基片上制備一層聚苯乙烯薄膜，在聚苯乙烯薄膜上刻蝕出周期性的以正方晶格排列的孔。該光開關(guān)，包括：一聚苯乙烯光子晶體，所述光子晶體的橫向兩端分別與第一聚苯乙烯薄膜波導(dǎo)和第二聚苯乙烯薄膜波導(dǎo)相連接，第一棱鏡，第二棱鏡。本發(fā)明的優(yōu)點：用聚苯乙烯取代半導(dǎo)體材料，利用聚苯乙烯的大的三階非線性系數(shù)來實現(xiàn)高開關(guān)對比的光開關(guān)，時間響應(yīng)小于25fs，制備簡單，使用和測量方便，利于集成。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市海淀區(qū)中關(guān)村南三街8號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610072799.0 【申請日】2006-04-11 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101055399A 【公開公告日】2007-10-17 【公開公告年份】2007 【發(fā)明人】胡小永; 劉元好; 田潔; 程丙英; 張道中 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種光子晶體，以石英為基片；其特征在于：在石英基片上制備一層聚苯乙 烯薄膜，在聚苯乙烯薄膜上刻蝕出周期性的以正方晶格排列的孔。。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院物理研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)中關(guān)村南三街8號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400012174C 【被引證次數(shù)】7 【被他引次數(shù)】7.0 【家族被引證次數(shù)】7
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