【摘要】本發明涉及半導體材料與器件技術領域，特別是半導體InN薄膜材料的制備方法。在襯底上生長完InN薄膜之后，再在上面生長一層易于去除的、熔點和分解溫度都高于InN材料的可在低溫下生長的材料，我們稱這層材料為蓋層；接下來在氮氣和氨氣保護下
【摘要】 一種磷鎢酸為模板劑合成介孔 TiO2的方法，涉及一種固體酸模 板劑合成介孔分子篩同步實現材料摻雜改性的方法，屬于無機 多孔材料合成方法技術領域。將鈦酸四丁酯溶于無水乙醇，混 合均勻后加入磷鎢酸的水溶液攪拌；加入去離子水；將混合物 取出，旋轉蒸發，洗滌；真空干 燥后，500℃焙燒3小時，即得到所述介孔 TiO2。本發明利用磷鎢酸Keggin 結構在水分子和磷鎢酸分子間形成氫鍵，起到了模板劑的作 用，并且引入的磷鎢酸無需去除，合成介孔材料的同時實現了 TiO2的摻雜改性。合成的介孔 TiO2比表面積大、孔徑均勻、結 構有序，具有良好穩定性。本發明操作簡單、成本低廉，簡便 易行?？捎糜诟鞣N介孔TiO2分子 篩的合成及改性處理。 【專利類型】發明申請 【申請人】清華大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100084北京市100084－82信箱 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610114091.7 【申請日】2006-10-27 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1944253A 【公開公告日】2007-04-11 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100450925C 【授權公告日】2009-01-14 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】C01B39/00; C01B37/06; C01G23/047; C01B37/00; C01G23/00 【發明人】駱廣生; 黃丹; 王玉軍 【主權項內容】1、一種磷鎢酸為模板劑合成介孔TiO2的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟： (1)將鈦酸四丁酯按鈦酸四丁酯與無水乙醇的質量比為1∶7溶于無水乙醇，混合均勻 后，加入磷鎢酸的水溶液，攪拌3小時； (2)加入去離子水，繼續攪拌2小時；去離子水與所述磷鎢酸的水溶液體積比為10∶ 0.96； (3)將步驟(2)混合物取出，旋轉蒸發，用去離子水、無水乙醇洗滌； (4)將步驟(3)洗滌后的物質進行真空干燥，然后500℃焙燒3小時，即得到所述介 孔TiO2。 【當前權利人】清華大學 【當前專利權人地址】北京市100084－82信箱 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12100000400000624D 【被引證次數】4 【被他引次數】4.0 【家族引證次數】3.0 【家族被引證次數】4
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