【摘要】本發(fā)明涉及的是清開靈大輸液制劑，它由以下重量份數(shù)的物質(zhì)及常規(guī)藥物溶劑制備而成：膽酸1.2～2.0份，豬脫氧膽酸1.4～2.4份，水牛角9～16份，黃芩苷1.8～3.2份，珍珠母18～32份，梔子9～16份，板藍根75～125份，金銀
【摘要】 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是半導(dǎo)體InN薄膜材料的制備方法。在襯底上生長完InN薄膜之后，再在上面生長一層易于去除的、熔點和分解溫度都高于InN材料的可在低溫下生長的材料，我們稱這層材料為蓋層；接下來在氮氣和氨氣保護下對上面得到的外延片進行退火處理；最后去除上面生長的蓋層和蓋層與InN材料之間的互擴散層。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學院半導(dǎo)體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區(qū)清華東路甲35號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610067134.0 【申請日】2006-04-03 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101051608A 【公開公告日】2007-10-10 【公開公告年份】2007 【發(fā)明人】張日清; 康亭亭; 劉祥林 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種獲取高質(zhì)量InN薄膜的方法，其步驟特征如下： InN薄膜生長完以后，緊接著在其上面生長一層，稱這一層為蓋層， 易于去掉的、熔點和分解溫度都高于InN的可在低溫下生長蓋層的材料， 生長溫度在300-500℃；接下來在氮氣和氨氣保護下對上面得到的外延片 進行退火處理，最后去除上面所加的蓋層和蓋層與InN之間的互擴散層。 【當前權(quán)利人】中國科學院半導(dǎo)體研究所 【當前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)清華東路甲35號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數(shù)】2 【被他引次數(shù)】1.0 【家族被引證次數(shù)】2
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