【摘要】本發明涉及一種新型二氧化鈦納晶光吸收增強 型薄膜電極及其制備方法。薄膜電極由導電襯底和位于其上面 的包含第一層致密TiO2薄膜層 和第二層大孔TiO2薄膜層的復 合層共同構成，第一層致密TiO2 薄膜層由粒徑2～5nm的二氧化鈦微粒
【摘要】 1.請求保護的外觀設計產品包含色彩。 2.平面產品，省略其他視圖。 3.套件1和套件2成套出售。。 【專利類型】外觀設計 【申請人】石承志 【申請人類型】個人 【申請人地址】100098北京市海淀區太陽園小區4-2101 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200630021851.0 【申請日】2006-07-10 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3646619D 【公開公告日】2007-05-16 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3646619D 【授權公告日】2007-05-16 【授權公告年份】2007.0 【發明人】石承志 【主權項內容】無 【當前權利人】石承志 【當前專利權人地址】北京市海淀區太陽園小區4-2101
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