【專利類型】外觀設計【申請人】田恩廣【申請人類型】個人【申請人地址】101103北京市通州區馬駒橋鎮西馬各莊409號【申請人地區】中國【申請人城市】北京市【申請人區縣】通州區【申請號】CN200630157859.X【申請日】2006-05
【摘要】 本發明公開了一種具有低電阻高取向的金屬鉑摻雜鎳酸鑭的復合電極及其制備方法，所述復合電極材料中Pt的原子百分比含量為40.0～90.0，La的原子百分比含量為2.3～17.57，Ni的原子百分比含量為2.7～13.23和余量的O單質組成。本發明通過將金屬鉑與鎳酸鑭的組合，采用射頻磁控濺射共沉積工藝制備出了室溫電阻率為1.2×10－5Ω·cm～3×10－3Ω·cm、具有(001)晶體學取向的高導電性和高取向的復合電極材料。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京航空航天大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100083北京市海淀區學院路37號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610113224.9 【申請日】2006-09-20 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1925190A 【公開公告日】2007-03-07 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100433415C 【授權公告日】2008-11-12 【授權公告年份】2008.0 【發明人】畢曉昉; 喬梁; 程星華 【主權項內容】1、一種金屬鉑摻雜鎳酸鑭的復合電極，其特征在于：所述復合電極中金屬鉑Pt的 原子百分比含量為40.0～90.0，鑭La的原子百分比含量為2.3～17.57，鎳Ni的原子百分比含量為2.7～13.23，余量為氧O單質，并且上述各成分的含量之 和為100％。 【當前權利人】北京航空航天大學 【當前專利權人地址】北京市海淀區學院路37號 【統一社會信用代碼】12100000400011227Y 【被引證次數】TRUE 【家族被引證次數】TRUE
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