【摘要】本發明公開了三種川芎嗪衍生物2，5－二丙烯酰氧亞甲基－3，6－二甲基吡嗪，2－丙烯酰氧亞甲基－5－羥甲基－3，6－二甲基吡嗪和2－丙烯酰氧亞甲基－3，5，6－三甲基吡嗪，以及接枝聚合在絲素蛋白纖維表面得到三種川芎嗪改性絲素蛋白纖維的
【摘要】 一種Mg－Sb共摻雜p型ZnO薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟1：采用射頻磁控濺射方法，所需靶材由高純ZnO、MgO和Sb2O3粉末混合壓制而成，得到磁控濺射靶材；步驟2：將襯底加溫至一恒溫；步驟3：利用射頻磁控濺射方法，在氬氣環境中將靶材濺射沉積在襯底之上；步驟4：進行原位高溫退火處理，得到Mg－Sb共摻雜的p型ZnO薄膜材料。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610003121.7 【申請日】2006-02-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101022141A 【公開公告日】2007-08-22 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L33/00; H01L21/203; C23C14/35; C23C14/08 【發明人】王鵬; 陳諾夫; 尹志崗 【主權項內容】1、一種Mg-Sb共摻雜p型ZnO薄膜的制備方法，其特征 在于，包括如下步驟： 步驟1：采用射頻磁控濺射方法，所需靶材由高純ZnO、 MgO和Sb2O3粉末混合壓制而成，得到磁控濺射靶材； 步驟2：將襯底加溫至一恒溫； 步驟3：利用射頻磁控濺射方法，在氬氣環境中將靶材濺 射沉積在襯底之上； 步驟4：進行原位高溫退火處理，得到Mg-Sb共摻雜的p 型ZnO薄膜材料。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】4 【被他引次數】4.0 【家族被引證次數】4
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