【摘要】本發明涉及一種剝離型氯丁橡膠(CR)蛭石納米 復合材料以及其制備方法。制備方法包括：提純蛭石；對蛭石 進行有機化；制備氯丁橡膠生膠蛭石納米復合材料；以及制備 氯丁橡膠蛭石納米復合材料。所得氯丁橡膠(CR)蛭石納米復 合材料的邵爾A硬
【摘要】 一種半導體量子點/量子阱導帶內躍遷材料結構，其特征在于，其中包括：一下勢壘層，該下勢壘層是下述量子阱層的勢壘；一量子阱層，該量子阱層位于下勢壘層上面，并且該量子阱層的帶隙小于上述下勢壘層以及下述間隔勢壘層的帶隙；一間隔勢壘層，該間隔勢壘層位于量子阱層上面，該間隔勢壘層同時作為上述量子阱層和下述量子點層的勢壘將量子阱層與量子點層分開；一量子點層，該量子點層位于間隔勢壘層上面，在上述間隔勢壘層與下述上勢壘層共同作用下，在該量子點層內將形成三維量子化的分立能級；一上勢壘層，該上勢壘層位于量子點層上面，是量子點層的勢壘。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610064882.3 【申請日】2006-03-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101038946A 【公開公告日】2007-09-19 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L33/00; H01L31/00; H01S5/34; H01L33/04 【發明人】金鵬; 王占國 【主權項內容】1、一種半導體量子點/量子阱導帶內躍遷材料結構，其 特征在于，其中包括： 一下勢壘層，該下勢壘層是下述量子阱層的勢壘； 一量子阱層，該量子阱層位于下勢壘層上面，并且該量子 阱層的帶隙小于上述下勢壘層以及下述間隔勢壘層的帶隙； 一間隔勢壘層，該間隔勢壘層位于量子阱層上面，該間隔 勢壘層同時作為上述量子阱層和下述量子點層的勢壘將量子 阱層與量子點層分開； 一量子點層，該量子點層位于間隔勢壘層上面，在上述間 隔勢壘層與下述上勢壘層共同作用下，在該量子點層內將形成 三維量子化的分立能級； 一上勢壘層，該上勢壘層位于量子點層上面，是量子點層 的勢壘。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】15 【被自引次數】3.0 【被他引次數】12.0 【家族被引證次數】15
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