【摘要】本實用新型公開了一種保溫裝置，包括斷面相互 匹配的至少一對保溫件，保溫件包括外硬質防水保護層、隔熱 層和內硬質防水反輻射層三層結構，保溫件還包括熱傳導性差 的連接件，該連接件完全覆蓋所述保溫件的斷面且將所述外硬 質防水保護層和內硬質
【摘要】 本發明公開了屬于半導體器件結構范圍的一種 基于肖特基SiGe異質結晶體管。是在SBD結構晶體管的結構 基礎上用SiGe異質結代替上述SBD結構晶體管的P結，使形 成N+、 N+－BL、N、 P+SiGe、 N+ploy－Si結構的肖特基SiGe 異質結晶體管。其P+SiGe層在E 極下面和N層的上面，并且 P+SiGe、N和B極相連。所述E 極為N+ploy－Si材料制成。該肖 特基SiGe異質結晶體管不改變晶體管的版圖結構，但是，把 肖特基SiGe異質結晶體管結構去代替TTL電路中可能進入飽 和態的晶體管，形成基于SiGe異質結STTL電路，這樣可以 大幅度提高電路的速度。 【專利類型】發明申請 【申請人】清華大學; 中國電子科技集團公司第二十四研究所 【申請人類型】企業,學校 【申請人地址】100084北京市100084－82信箱 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610114582.1 【申請日】2006-11-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1949534A 【公開公告日】2007-04-18 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L29/737; H01L29/66 【發明人】劉道廣; 嚴利人; 周衛; 許軍; 徐世六 【主權項內容】1.一種基于肖特基SiGe異質結晶體管，所述SBD結構的晶體管是在Si基底 上，制成N+-BL、N、P+、P、N+結構，P、N層同時連接B極的具有C、E、B極 的晶體管，其特征在于，用異質結P+SiGe層代替上述SBD結構晶體管的P型基 區，使形成N+-BL、N、P+SiGe、N+ploy-Si結構的肖特基SiGe異質結晶體管。 【當前權利人】清華大學; 中國電子科技集團公司第二十四研究所 【當前專利權人地址】北京市100084－82信箱; 重慶市南岸區南坪花園路14號 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12100000400000624D 【被引證次數】3 【被他引次數】3.0 【家族被引證次數】3
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