【摘要】本發(fā)明提供一種自適應的外部存儲設備IO性能優(yōu)化方法，其特征在于以下步驟：給到達外部存儲設備驅動程序的IO請求分配優(yōu)先級并將其插入IO請求處理隊列；使用IO訪問地址增量統(tǒng)計方法獲得IO訪問地址增量的統(tǒng)計數(shù)據(jù)并預處理；使用該統(tǒng)計數(shù)據(jù)計算
【摘要】 電磁－壓阻式微機械諧振梁結構，單梁兩端固支 于彈性基體上并被置于沿其寬度方向的磁場中，單梁固有頻率 受基體形變控制；單梁包括梁體和電阻層，電阻層包括壓阻膜 和導電膜；梁體為近似補償摻雜的[100]單晶硅，壓阻膜為N 型外延膜，導電膜為重摻雜外延膜或濺射金屬膜；壓阻膜完整 覆蓋梁體表面，導電膜覆蓋壓阻膜表面中段短于梁體的部分。 本發(fā)明的電阻層兼有電磁激振和壓阻拾振功能，簡化了結構； 采用SOI晶圓加工單梁與基體的單晶硅整體結構，通過不同的 摻雜調(diào)節(jié)單梁各層的預應力并控制結構穩(wěn)定性。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】北京航空航天大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100083北京市海淀區(qū)學院路37號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610114275.3 【申請日】2006-11-03 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1945214A 【公開公告日】2007-04-11 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100498235C 【授權公告日】2009-06-10 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】G01D5/12; G01H11/00 【發(fā)明人】樊尚春; 邢維巍; 蔡晨光 【主權項內(nèi)容】1、電磁-壓阻式微機械諧振梁結構，其特征在于：單梁(1)兩端固支 于彈性基體(2)上并被置于沿其寬度方向的磁場中，單梁1固有頻率受基 體(2)形變控制；單梁(1)包括梁體(11)和電阻層(12)，電阻層(12) 包括壓阻膜(21)和導電膜(22)，壓阻膜(21)完整覆蓋梁體(11)表 面，導電膜(22)覆蓋壓阻膜(21)表面中段短于梁體(11)的部分；單 梁(1)和基體(2)采用SOI晶圓，通過外延和濕法刻蝕工藝加工而成。 【當前權利人】北京航空航天大學 【當前專利權人地址】北京市海淀區(qū)學院路37號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400011227Y 【被引證次數(shù)】6 【被自引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】4.0 【家族引證次數(shù)】5.0 【家族被引證次數(shù)】6
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