【摘要】本發(fā)明公開了一種低紋波高可靠性大容量電容 穩(wěn)壓充電電路，其中開關(guān)T1采用IGBT；IGBT開關(guān)T1發(fā)射 極和輸出充電電容C2之間串聯(lián)功率電阻R3，電阻R3限制起 始充電電流，保護電容C2和IGBT開關(guān)T1，并起短路保護的 作用；穩(wěn)壓
【摘要】 一種多層金屬間氧化物脊形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，包括：一硅襯底；一氧化隔離層位于襯底和阱上，用于隔離不同的電子器件；一PSG磷硅玻璃制作在氧化隔離層、有源區(qū)和阱上；第一層金屬制作在PSG磷硅玻璃上，作為波導(dǎo)下包層；第一層氧化層制作在第一層金屬上；第二層金屬制作在第一層氧化層上；第二層氧化層制作在第二層金屬上；第三層金屬制作在第二層氧化層上；第三層氧化層制作在第三層金屬上；第四層金屬位于頂層制作在第三層氧化層上；第一層金屬和第二層金屬接觸、第二層金屬和第三層金屬接觸、第三層金屬和第四層金屬 接觸作為脊形波導(dǎo)橫向限制層，使光線被限制在脊形波導(dǎo)內(nèi)。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區(qū)清華東路甲35號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610058659.8 【申請日】2006-03-06 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101034185A 【公開公告日】2007-09-12 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100478718C 【授權(quán)公告日】2009-04-15 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】陳弘達; 黃北舉; 顧明; 劉海軍 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種多層金屬間氧化物脊形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，包括： 多層金屬和多層金屬間氧化層；多層金屬作為覆蓋層，而 多層金屬間氧化層作為脊形波導(dǎo)芯層；由于發(fā)光二級管和探測 器二極管均可以通過硅襯底上的有源區(qū)和阱形成，因此該結(jié)構(gòu) 脊形光波導(dǎo)可與光源和探測器集成；其特征在于，其結(jié)構(gòu)包括： 一硅襯底； 一氧化隔離層，該氧化隔離層位于襯底和阱上，用于隔離 不同的電子器件； 一PSG磷硅玻璃，該PSG磷硅玻璃制作在氧化隔離層、有 源區(qū)和阱上； 第一層金屬，該第一層金屬制作在PSG磷硅玻璃上，作為 波導(dǎo)下包層； 第一層氧化層，該第一層氧化層制作在第一層金屬上； 第二層金屬，該第二層金屬制作在第一層氧化層上； 第二層氧化層，該第二層氧化層制作在第二層金屬上； 第三層金屬，該第三層金屬制作在第二層氧化層上； 第三層氧化層，該第三層氧化層制作在第三層金屬上； 第四層金屬位于頂層，該第四層金屬位于頂層制作在第三 層氧化層上； 第一層金屬和第二層金屬接觸、第二層金屬和第三層金屬 接觸、第三層金屬和第四層金屬接觸作為脊形波導(dǎo)橫向限制 層，使光線被限制在脊形波導(dǎo)內(nèi)。。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)清華東路甲35號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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