【摘要】本發明公開了一種生長高阻GaN薄膜的方法。 本發明方法是在MOCVD設備中進行的，包括烘烤、成核、退 火和外延生長階段，其中，在退火階段，退火壓力在75托以 下。本發明方法通過降低退火階段的反應室壓力(稱為退火壓力) 來增加成核島密
【摘要】 本發明提供的絕對時間數據采集方法包括：獲取第一時刻的相對時間；獲取第二時刻的相對時間；計算所述第二時刻與第一時刻的相對時間差值；獲取第三時刻的絕對時間；利用所述相對時間差值和第三時刻的絕對時間，計算第一時刻的絕對時間。本發明還提供了一種絕對時間數據采集系統，包括：單板單元、主控單元。利用本發明提供的絕對時間數據采集方法及系統，由于在所發送的信息中加入了信息產生時間和發送時間的標記，從而信息傳送所引入的時延就可以計算。并且可以利用獲得主控板提供的絕對時間信號計算特定信號(如告警信息)產生時刻的精確絕對時間，解決了現有技術中因為信息傳送時延而導致無法獲得準確的絕對時間的問題。 【專利類型】發明申請 【申請人】大唐移動通信設備有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】100083北京市海淀區學院路29號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610074595.0 【申請日】2006-04-21 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101060425A 【公開公告日】2007-10-24 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100502314C 【授權公告日】2009-06-17 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H04L12/24; G06F17/40 【發明人】周天翔 【主權項內容】1、一種絕對時間數據采集方法，其特征在于，包括： a)獲取第一時刻的相對時間； b)獲取第二時刻的相對時間； c)計算所述第二時刻與第一時刻的相對時間差值； d)獲取第三時刻的絕對時間； e)利用所述相對時間差值和第三時刻的絕對時間，計算第一時刻的絕 對時間。 【當前權利人】大唐移動通信設備有限公司 【當前專利權人地址】北京市海淀區學院路29號 【專利權人類型】有限責任公司(法人獨資) 【統一社會信用代碼】91110108733466019G 【被引證次數】6 【被他引次數】6.0 【家族引證次數】5.0 【家族被引證次數】6
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