【摘要】本發(fā)明公開了一種制備光子晶體的方法，該方法 采用LB膜方法、自組裝法或者旋涂法將膠體微球組成規(guī)則排 列的單層或多層膠體晶體薄膜，然后再用這種薄膜作為模板， 利用水熱或溶劑熱的方法在半導(dǎo)體單晶基片上制備二維或三 維光子晶體。本發(fā)明工藝
【摘要】 本發(fā)明涉及光通訊系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種適用于臺(tái)階結(jié)構(gòu)的自對準(zhǔn)摻雜工藝。包含以下步驟：(1)生成第一掩模層；(2)刻蝕形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)；(3)生成第二掩模層；(4)各向異性刻蝕第二掩模層；(5)形成摻雜區(qū)。在所述自對準(zhǔn)工藝中，由于刻蝕所述第二掩模層時(shí)的各向異性，所述臺(tái)階的側(cè)壁仍被掩蔽，而所述臺(tái)階上部被所述第一掩模層所掩蔽，因此所述臺(tái)階邊緣與所述摻雜區(qū)邊緣的間距取決于側(cè)壁上第二掩模層的厚度，而不再由光刻套刻精度決定。這一間距可以得到大幅減小，從而有利于改善器件性能，提高器件成品率，降低生產(chǎn)成本。本發(fā)明適用于微電子、微機(jī)械系統(tǒng)、光通訊系統(tǒng)領(lǐng)域中的器件制作。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610011658.8 【申請日】2006-04-13 【申請年份】2006 【公開公告號(hào)】CN101055334A 【公開公告日】2007-10-17 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100434952C 【授權(quán)公告日】2008-11-19 【授權(quán)公告年份】2008.0 【發(fā)明人】孫飛; 余金中; 陳少武 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種適用于臺(tái)階結(jié)構(gòu)的自對準(zhǔn)摻雜工藝，其特征在于，包含以下 步驟： (1)生成第一掩模層； (2)光刻定義臺(tái)階圖形，刻蝕第一掩模層； (3)刻蝕形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)； (4)去除第一次光刻的殘余光刻膠，保留剩余第一掩模層； (5)生成第二掩模層； (6)光刻定義摻雜區(qū)，用光刻膠作掩模各向異性刻蝕第二掩模層， 形成摻雜區(qū)窗口； (7)利用(6)中所定義的窗口進(jìn)行選擇性摻雜形成摻雜區(qū)； 在所述自對準(zhǔn)工藝中，所述臺(tái)階邊緣與所述摻雜區(qū)邊緣的間距取決于 所述第二掩模層的厚度，而不再由光刻套刻精度決定。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數(shù)】2 【被他引次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】2
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://m.mhvdw.cn/1776172335.html
喜歡就贊一下
