【摘要】 一種數控機床加工動力學特性測試分析系統，具有硬件和軟件；硬件有：刀具、力錘、加速度傳感器、電荷放大器、數據采集器、麥克風和計算機；加速度傳感器設在刀具末端，力錘和加速度傳感器與電荷放大器相連，電荷放大器與數據采集器相連，數據采集器
【摘要】 本發明提供了一種常規源端抬高漏端的肖特基 勢壘源漏MOS晶體管及其制作方法。所述MOS晶體管的源漏 具有不對稱結構，選擇兩種不同的金屬材料，通過兩次金屬硅 化反應，控制反應時間，可以獲得高度不同的肖特基勢壘源漏。 通過選擇不同的肖特基勢壘組合，本發明的MOS晶體管還可 以獲得大的開關態電流比，或者是獲得大的開態電流，同時盡 可能的減小器件的關態漏電流。其制作工藝在與傳統的 MOSFET制作工藝保持完全兼容的同時，降低了工藝的復雜 性，相較于先前的不對稱肖特基勢壘MOS晶體管的制作工藝， 該制作方法具有自對準的特點，使得器件有望應用于亞50納 米尺度的集成電路生產。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100871北京市海淀區頤和園路5號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610140390.8 【申請日】2006-12-08 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1964072A 【公開公告日】2007-05-16 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100448027C 【授權公告日】2008-12-31 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L29/78; H01L29/47; H01L21/336; H01L21/28; H01L29/66; H01L21/02; H01L29/40 【發明人】孫雷; 李定宇; 張盛東; 吳濤; 韓汝琦; 劉曉彥 【主權項內容】1.一種不對稱肖特基勢壘源漏MOS晶體管，包括一柵電極，一柵介質層， 一柵電極側墻介質層，一半導體襯底，一源區和一漏區；所述半導體襯底具有臺階 結構；所述柵電極位于臺階處、柵介質層之上；所述柵介質層位于半導體襯底之上， 柵電極之下；所述漏區位于較高臺階一側、半導體襯底之上，柵介質層將其與柵電 極隔開；所述漏區位于較低臺階一側、半導體襯底之上；所述柵電極側墻介質層位 于柵電極靠近源區一側、柵介質層之上；其中，所述源區和漏區由分別由兩層金屬 或金屬與半導體形成的化合物材料構成。 【當前權利人】北京大學 【當前專利權人地址】北京市海淀區頤和園路5號 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12100000400002259P 【被引證次數】4 【被他引次數】4.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】6
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