【摘要】本發明公開了一種內燃機車散熱單節的修復方 法，對散熱單節外部進行沖洗、去除表面積塵，處理波紋帶倒 片，用金屬清洗劑配制煮洗液在煮洗烘烤箱內煮洗散熱單節， 清洗后吹干，實施水壓實驗查找漏泄點作好標示，使用絕緣漆 涂刷在漏泄處修補裂紋，
【摘要】 一種利用凹區作選擇區域外延制作平面型集成有源波導的方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟1：在襯底上光刻腐蝕出凹陷區域；步驟2：在凹陷區域內制作介質掩膜圖形條；步驟3：在上述含介質掩膜圖形條的襯底上同時外延生長緩沖層和有源波導層，形成介質掩膜選擇區域、過渡區和凹陷區域外的平面區域；步驟4：在凹陷的介質掩膜選擇區域、過渡區和凹陷區域外的平面區域上制作出具有同一水平上表面的平面型集成有源波導結構。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610007846.3 【申請日】2006-02-21 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101025458A 【公開公告日】2007-08-29 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100538412C 【授權公告日】2009-09-09 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】G02B6/12; G02B6/13 【發明人】朱洪亮; 侯康平; 楊華; 梁松; 王圩 【主權項內容】1、一種利用凹區作選擇區域外延制作平面型集成有源波 導的方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟1：在襯底上光刻腐蝕出凹陷區域； 步驟2：在凹陷區域內制作介質掩膜圖形條； 步驟3：在上述含介質掩膜圖形條的襯底上同時外延生長 緩沖層和有源波導層，形成介質掩膜選擇區域、過渡區和凹陷 區域外的平面區域； 步驟4：在凹陷的介質掩膜選擇區域、過渡區和凹陷區域 外的平面區域上制作出具有同一水平上表面的平面型集成有 源波導結構。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】3 【被自引次數】2.0 【被他引次數】1.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】3
未經允許不得轉載：http://m.mhvdw.cn/1776160900.html
喜歡就贊一下
