【摘要】本發(fā)明公開了一種面向服務(wù)體系結(jié)構(gòu)的服務(wù)調(diào) 試裝置，包括調(diào)試角色識別處理單元、調(diào)試命令信息處理接口 單元、服務(wù)行為生成器、調(diào)試信息管理器、表達(dá)式計算器和服 務(wù)調(diào)試數(shù)據(jù)存儲單元。本發(fā)明同時公開了一種面向服務(wù)體系結(jié) 構(gòu)的服務(wù)調(diào)試方法。與傳
【摘要】 一種半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，包括：一襯底作為半導(dǎo)體器件的承載體；一半導(dǎo)體緩沖層，通過外延生長技術(shù)形成在襯底上，起到緩沖襯底和其他層之間應(yīng)力的作用；一半導(dǎo)體模板層，通過外延生長技術(shù)形成在半導(dǎo)體緩沖層上，作為支撐模板；一鈍化層，通過表面鈍化形成在半導(dǎo)體模板層上，起到提高吸附原子在表面遷移勢壘的作用；一半導(dǎo)體誘導(dǎo)層，制作在鈍化層上，起到促進(jìn)半導(dǎo)體納米島形成的作用；一半導(dǎo)體納米島層，制作在半導(dǎo)體誘導(dǎo)層上，作為光電子器件的活性層；一半導(dǎo)體蓋帽層，制作在半導(dǎo)體納米島層上，起到保護(hù)半導(dǎo)體納米島層，或者提供載流子的作用。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區(qū)清華東路甲35號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610003180.4 【申請日】2006-02-22 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101026203A 【公開公告日】2007-08-29 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L33/00; H01L31/08; H01L31/18; H01L33/04 【發(fā)明人】陳振 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)包括： 一襯底，作為半導(dǎo)體器件的承載體； 一半導(dǎo)體緩沖層，該半導(dǎo)體緩沖層通過外延生長技術(shù)形成 在襯底上，起到緩沖襯底和其他層之間應(yīng)力的作用； 一半導(dǎo)體模板層，該半導(dǎo)體模板層通過外延生長技術(shù)形成 在半導(dǎo)體緩沖層上，作為支撐模板； 一鈍化層，該鈍化層通過表面鈍化形成在半導(dǎo)體模板層 上，起到提高吸附原子在表面遷移勢壘的作用； 一半導(dǎo)體誘導(dǎo)層，該半導(dǎo)體誘導(dǎo)層制作在鈍化層上，起到 促進(jìn)半導(dǎo)體納米島形成的作用； 一半導(dǎo)體納米島層，該半導(dǎo)體納米島層制作在半導(dǎo)體誘導(dǎo) 層上，作為光電子器件的活性層； 一半導(dǎo)體蓋帽層，該半導(dǎo)體蓋帽層制作在半導(dǎo)體納米島層 上，起到保護(hù)半導(dǎo)體納米島層，或者提供載流子的作用。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)清華東路甲35號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數(shù)】3 【被他引次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】3
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