【摘要】一種三電平變流器(IGBT)閉鎖時消除器件過壓 的控制方法，所述三電平變流器具有附加的緩沖吸收電路，該 方法包括：實施閉鎖一個電流關(guān)斷時間后，先封鎖外側(cè) IGBT(S11、S14、S21、S24)的脈沖，內(nèi)側(cè)IGBT(S12、S13
【摘要】 一種長波長垂直腔面發(fā)射激光器的結(jié)構(gòu)，包括：一襯底，該襯底為N型InP襯底；一緩沖層制作在襯底上；一下布拉格反射鏡制作在緩沖層上，該下布拉格反射鏡用于反射激光腔內(nèi)的光來形成激光振蕩；一有源區(qū)，該有源區(qū)制作在下布拉格反射鏡上，用來形成光增益；一電極接觸層，該電極接觸層制作在有源區(qū)上的兩側(cè)，用來形成良好的歐姆接觸；一上布拉格反射鏡，該上布拉格反射鏡制作在有源區(qū)上的中間位置，同時形成出光窗口，并用于反射激光腔內(nèi)的光來形成激光振蕩；一P電極，該P電極制作在電極接觸層的上面，用于電流注入；一N電極，該N電極制作在襯底的下面。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區(qū)清華東路甲35號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610003587.7 【申請日】2006-02-15 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101022208A 【公開公告日】2007-08-22 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100428593C 【授權(quán)公告日】2008-10-22 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01S5/183; H01S5/187; H01S5/00 【發(fā)明人】王小東; 吳旭明; 譚滿清 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種長波長垂直腔面發(fā)射激光器的結(jié)構(gòu)，其特征在于， 該結(jié)構(gòu)包括： 一襯底，該襯底為N型InP襯底； 一緩沖層，該緩沖層制作在襯底上； 一下布拉格反射鏡，該下布拉格反射鏡制作在緩沖層上， 該下布拉格反射鏡用于反射激光腔內(nèi)的光來形成激光振蕩； 一有源區(qū)，該有源區(qū)制作在下布拉格反射鏡上，用來形成 光增益； 一電極接觸層，該電極接觸層制作在有源區(qū)上的兩側(cè)，用 來形成良好的歐姆接觸； 一上布拉格反射鏡，該上布拉格反射鏡制作在有源區(qū)上的 中間位置，同時形成出光窗口，并用于反射激光腔內(nèi)的光來形 成激光振蕩； 一P電極，該P電極制作在電極接觸層的上面，用于電流 注入； 一N電極，該N電極制作在襯底的下面。 【當前權(quán)利人】中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【當前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)清華東路甲35號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數(shù)】18 【被自引次數(shù)】4.0 【被他引次數(shù)】14.0 【家族引證次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】18
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