【摘要】本發(fā)明公開了一種采用連續(xù)磁控濺射物理氣相 沉積制備Fe－6.5wt％Si薄板方法，以單晶或多晶硅為陰極靶， 以低硅鋼帶為陽極，采用磁控濺射物理氣相沉積方式在低硅硅 鋼帶單面或雙面濺射沉積硅單質(zhì)薄膜；隨后在高溫中擴散，使 表層硅原子向
【摘要】 本發(fā)明涉及一種數(shù)據(jù)推送系統(tǒng)，包括：內(nèi)容服務(wù)器，用于數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)采集信息的分析處理以及數(shù)據(jù)的推送；數(shù)據(jù)庫，與所述內(nèi)容服務(wù)器相連接，用于數(shù)據(jù)的存儲；數(shù)據(jù)采集裝置，與所述內(nèi)容服務(wù)器通過網(wǎng)絡(luò)相連接，用于發(fā)送數(shù)據(jù)采集信息和數(shù)據(jù)的采集。本發(fā)明還涉及一種數(shù)據(jù)推送方法，包括：1.數(shù)據(jù)采集裝置與計算機連接后，計算機讀取數(shù)據(jù)采集裝置中的第一信息，并進行處理得到二信息；2.計算機將第二信息發(fā)送給服務(wù)器；3.服務(wù)器分析第二信息，然 后根據(jù)對第二信息的分析，將數(shù)據(jù)庫中的內(nèi)容數(shù)據(jù)推送給所述計算機。因此，本發(fā)明實現(xiàn)了根據(jù)數(shù)據(jù)采集裝置的數(shù)據(jù)采集信息的不同，內(nèi)容服務(wù)器推送不同的數(shù)據(jù)，當(dāng)數(shù)據(jù)信息發(fā)生改變時，數(shù)據(jù)推送也隨之發(fā)生改變。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】邁世亞(北京)科技有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】100086北京市海淀區(qū)中關(guān)村南大街2號數(shù)碼大廈B座23層 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610066384.2 【申請日】2006-04-05 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101051991A 【公開公告日】2007-10-10 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN101051991B 【授權(quán)公告日】2010-12-29 【授權(quán)公告年份】2010.0 【發(fā)明人】賴亦崧; 張云 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種數(shù)據(jù)推送系統(tǒng)，其中包括： 內(nèi)容服務(wù)器，用于進行認(rèn)證、數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)采集信息的分析處理以及數(shù)據(jù) 的推送； 數(shù)據(jù)庫，與所述內(nèi)容服務(wù)器相連接，用于數(shù)據(jù)的存儲； 數(shù)據(jù)采集裝置，與所述內(nèi)容服務(wù)器通過網(wǎng)絡(luò)相連接，用于發(fā)送數(shù)據(jù)采集 信息和數(shù)據(jù)的采集。 【當(dāng)前權(quán)利人】邁世亞(北京)科技有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)中關(guān)村南大街2號數(shù)碼大廈B座23層 【專利權(quán)人類型】有限責(zé)任公司(臺港澳自然人獨資) 【統(tǒng)一社會信用代碼】91110108753301406U 【被引證次數(shù)】5 【被他引次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】5
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