【摘要】本發(fā)明提供了一種基于統(tǒng)一優(yōu)先級的動態(tài)子載 波分配方案，適用于正交頻分多址(OFDMA)系統(tǒng)。其子載波分 配的基本原則是：基站根據(jù)各用戶的信道狀態(tài)信息，確定統(tǒng)一 的子載波分配優(yōu)先級，然后依次將各個子載波分配給對應(yīng)的用 戶。與傳統(tǒng)的子載
【摘要】 本發(fā)明涉及一種波長可選分布反饋激光器二維陣列集成組件，采用磷化銦/銦鎵砷磷材料體系，包括依次連接的光放大器、Y型耦合器和2*2分布反饋激光器陣列；其中2*2分布反饋激光器陣列在上波導(dǎo)層上制作有2*2矩陣排列的四個不同周期的布拉格光柵。本發(fā)明的優(yōu)點是可提供四個可選的波長，波長間隔為20nm，滿足疏波分復(fù)用的信道間隔要求，本發(fā)明的制作工藝和傳統(tǒng)光電集成組件的制作工藝一樣簡單方便，易于操作，且易與其他的半導(dǎo)體光電器件如調(diào)制器，模斑轉(zhuǎn)換器等集成。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區(qū)清華東路甲35號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610001812.3 【申請日】2006-01-20 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101005196A 【公開公告日】2007-07-25 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100429848C 【授權(quán)公告日】2008-10-29 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01S5/40; H01S5/323; H01S5/343; H01S5/22; H01S5/026; H01S5/00 【發(fā)明人】謝紅云; 王保軍; 周帆; 王圩 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種波長可選分布反饋激光器二維陣列集成組件，采用磷化銦/銦鎵砷磷 材料體系制作，包括分布反饋激光器陣列，其特征在于，還包括依次連接的光放 大器、Y型耦合器；所述分布反饋激光器陣列是2*2分布反饋激光器陣列，其輸 入端與Y型耦合器的輸出端連接； 所述2*2分布反饋激光器陣列由下而上包括磷化銦襯底緩沖層(1)，下波導(dǎo) 層銦鎵砷磷(2)，銦鎵砷/銦鎵砷磷多量子阱層(3)，對應(yīng)帶隙波長1.55um，上 波導(dǎo)層銦鎵砷磷(4)，磷化銦蓋層(5)，銦鎵砷接觸層(6)和金屬電極(8)， 其中，在上波導(dǎo)層上制作有2*2矩陣排列的四個不同周期的布拉格光柵； 所述Y型耦合器由下而上包括磷化銦襯底緩沖層(1)，下波導(dǎo)層銦鎵砷磷(2)， 銦鎵砷/銦鎵砷磷多量子阱層(3)，對應(yīng)帶隙波長1.3um，上波導(dǎo)層銦鎵砷磷(4)， 磷化銦蓋層(5)，銦鎵砷接觸層(6)，該Y型耦合器輸出端的兩個分支與2*2 分布反饋激光器陣列連接，輸入端與光放大器連接； 所述光放大器由下而上包括：磷化銦襯底緩沖層(1)，下波導(dǎo)層銦鎵砷磷(2)， 銦鎵砷/銦鎵砷磷多量子阱層(3)，對應(yīng)帶隙波長1.5um，上波導(dǎo)層銦鎵砷磷(4)， 磷化銦蓋層(5)，銦鎵砷接觸層(6)，金屬電極(8)。 -官網(wǎng) 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)清華東路甲35號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400012385U 【引證次數(shù)】2.0 【被引證次數(shù)】8 【自引次數(shù)】2.0 【被自引次數(shù)】3.0 【被他引次數(shù)】5.0 【家族引證次數(shù)】6.0 【家族被引證次數(shù)】10
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