【摘要】本發(fā)明涉及一種電磁屏蔽電纜，包括至少一個(gè)纜芯、包覆在纜芯外表面的至少一絕緣介質(zhì)層、包覆所述的至少一個(gè)纜芯外的至少一個(gè)屏蔽層和包覆在屏蔽層外的外護(hù)套，其中，該至少一個(gè)屏蔽層由聚合物材料制成，該聚合物材料內(nèi)分散有碳納米管。【專利類型】發(fā)
【摘要】 本發(fā)明涉及在掃描電子顯微鏡中荷電襯度成像的方法，應(yīng)用于電子顯微分析技術(shù)中。采用高真空掃描電鏡時(shí)，絕緣樣品采用加速電壓10～30kV，導(dǎo)體和非導(dǎo)體材料合成的復(fù)合顆粒和多層膜采用加速電壓25～30kV，入射電流選10－10～10－11A，掃描速率選6～80s/幀；當(dāng)樣品室真空度達(dá)到1×10－4Pa或其以上時(shí)，使入射電子在樣品表面掃描，并保存二次電子像；采用環(huán)境掃描電鏡時(shí)，成像操作條件同高真空掃描電鏡，樣品室的壓力要低于通常荷電補(bǔ)償用的壓力，絕緣材料為13～90Pa，含水及生物材料為400～500Pa。利用本發(fā)明，可以觀察到樣品局域在導(dǎo)電、介電、應(yīng)力等性能方面存在的差異，及微觀結(jié)構(gòu)和成分分布的特征。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】北京工業(yè)大學(xué) 【申請人類型】學(xué)校 【申請人地址】100022北京市朝陽區(qū)平樂園100號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】朝陽區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610088992.3 【申請日】2006-07-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1888881A 【公開公告日】2007-01-03 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】G01N23/04; G01N13/10; H01J37/28; G02B21/00 【發(fā)明人】吉元; 張隱奇; 權(quán)雪玲; 徐學(xué)東; 傅景永; 王麗; 劉翠秀 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、荷電襯度成像的方法，其特征在于：是通過如下步驟實(shí)現(xiàn)的： 在采用高真空掃描電鏡成像的情況下： 1)選擇成像操作條件：包括加速電壓、入射電流、掃描速率；絕緣樣品選用 加速電壓的范圍為10kV～30kV，由導(dǎo)體和非導(dǎo)體材料合成的復(fù)合顆粒和多層膜 樣品選用加速電壓的范圍為25kV～30kV，入射電流選用10-10～10-11A，掃描速率 選擇6s/幀～80s/幀； 2)將樣品放入掃描電鏡樣品室中，使樣品與樣品臺良好接地，然后抽真空； 當(dāng)樣品室真空度達(dá)到1×10-4Pa或1×10-4Pa以上時(shí)，給電子槍施加加速電壓， 產(chǎn)生入射電子在樣品表面掃描，采用閃爍體-光電倍增管二次電子探頭接收二 次電子，并保存二次電子像； 在采用環(huán)境掃描電鏡成像的情況下： 1)選擇成像操作條件，同高真空掃描電鏡； 2)選擇樣品室的環(huán)境壓力條件；壓力要低于通常荷電補(bǔ)償所采用的壓力，絕 緣材料采用低真空模式，在13Pa～90Pa的范圍成像；含水及生物材料采用環(huán) 境真空模式，在400Pa～500Pa的范圍成像； 3)將樣品放入環(huán)境掃描電鏡中，使樣品與樣品臺良好接地，然后抽真空；當(dāng) 樣品室真空度達(dá)到上述設(shè)定值后，給ESEM電子槍施加加速電壓，產(chǎn)生入射電 子在樣品表面掃描，采用氣體二次電子探頭接收二次電子，并保存二次電子 像。 微信 【當(dāng)前權(quán)利人】北京工業(yè)大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市朝陽區(qū)平樂園100號 【專利權(quán)人類型】公立 【統(tǒng)一社會信用代碼】12110000400687411U 【被引證次數(shù)】6 【被自引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】6
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